| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF7421D1TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1,671 | MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7422D2PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 20V FETKY 12 VGS 140 RDS 2.7VmOhm | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
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IRF7422D2TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -4.3A 90mOhm 15nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
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IRF7424GTRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，漏极连续电流：- 11 ... | ||||||
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IRF7424PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 13.5mOhms 75nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF7424TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 506 | MOSFET MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF7425PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
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IRF7425TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT PCh -20V -15A 8.2mOhm 87nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
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IRF7433PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 24mOhms 20nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：8 V，... | ||||||
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IRF7433TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT PCh -12V -8.9A 24mOhm 20nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：8 V，... | ||||||
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IRF744 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 450V 8.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：450 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF744PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 450V 8.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：450 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF7450PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 170mOhms 26nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRF7450TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 200V 2.5A 170mOhm 26nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 3... | ||||||
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IRF7451TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 10,105 | MOSFET MOSFT 150V 3.6A 90mOhm 28nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRF7452PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 33nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRF7452QPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：... | ||||||
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IRF7452QTRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：... | ||||||
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IRF7452TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 100V 4.5A 60mOhm 33nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRF7455PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 37nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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