| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BZV55-B6V8,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 36,800 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：6.8 V，电压容差：2 %，电压温度系数：3 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZV55B75 | Taiwan Semiconductor | 稳压二极管 Zener 500mw 2% 75v | |||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，... | ||||||
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BZV55-B75 T/R | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：75 V，电压容差：2 %，电压温度系数：80.2 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55-B75,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：75 V，电压容差：2 %，电压温度系数：80.2 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55B7V5 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 7.5 Volt 500mW 2% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：7.5 V，电压容差：2 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55-B7V5 /T3 | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-13 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：7.5 V，电压容差：2 %，电压温度系数：4 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZV55-B7V5 T/R | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：7.5 V，电压容差：2 %，电压温度系数：4 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZV55-B7V5,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 10,853 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：7.5 V，电压容差：2 %，电压温度系数：4 mV / K，齐纳电流：250 mA，功率耗散：5... | ||||||
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BZV55-B7V5,135 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：7.5 V，电压容差：2 %，电压温度系数：4 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZV55B8V2 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 8.2 Volt 500mW 2% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：8.2 V，电压容差：2 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55-B8V2 /T3 | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-13 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：8.2 V，电压容差：2 %，电压温度系数：4.6 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55-B8V2 T/R | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：8.2 V，电压容差：2 %，电压温度系数：4.6 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55-B8V2,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 9,930 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：8.2 V，电压容差：2 %，电压温度系数：4.6 mV / K，齐纳电流：250 mA，功率耗散... | ||||||
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BZV55-B8V2,135 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：8.2 V，电压容差：2 %，电压温度系数：4.6 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55B9V1 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 9.1 Volt 500mW 2% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：9.1 V，电压容差：2 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55-B9V1 T/R | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：9.1 V，电压容差：2 %，电压温度系数：5.5 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55-B9V1,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 5,670 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：9.1 V，电压容差：2 %，电压温度系数：5.5 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55C10 | Taiwan Semiconductor | 1500 | 稳压二极管 10 Volt 500mW 5% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：10 V，电压容差：6 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZV55-C10 /T3 | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-13 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：10 V，电压容差：5 %，电压温度系数：6.4 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55-C10,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 28,134 | 稳压二极管 10V 500mW | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：10 V，电压容差：5 %，电压温度系数：6.4 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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