| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SOT89.jpg)
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BZV49-C6V8,115 | NXP Semiconductors | SOT-89 | 1,700 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：6.8 V，电压容差：5 %，电压温度系数：3 mV / K，功率耗散：1 W，最大反向漏泄电流：... | ||||||
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BZV49-C75 T/R | NXP Semiconductors | SOT-89 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：74.5 V，电压容差：5 %，电压温度系数：80.2 mV / K，功率耗散：1 W，最大反向漏... | ||||||
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BZV49-C75,115 | NXP Semiconductors | SOT-89 | 2,750 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：74.5 V，电压容差：5 %，电压温度系数：80.2 mV / K，功率耗散：1 W，最大反向漏... | ||||||
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BZV49-C7V5 T/R | NXP Semiconductors | SOT-89 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：7.45 V，电压容差：5 %，电压温度系数：4 mV / K，功率耗散：1 W，最大反向漏泄电流... | ||||||
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BZV49-C7V5,115 | NXP Semiconductors | SOT-89 | 900 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：7.45 V，电压容差：5 %，电压温度系数：4 mV / K，功率耗散：1 W，最大反向漏泄电流... | ||||||
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BZV49-C8V2,115 | NXP Semiconductors | SOT-89 | 102 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：8.2 V，电压容差：5 %，电压温度系数：4.6 mV / K，功率耗散：1 W，最大反向漏泄电... | ||||||
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BZV49-C9V1 T/R | NXP Semiconductors | SOT-89 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：9.05 V，电压容差：5 %，电压温度系数：5.5 mV / K，功率耗散：1 W，最大反向漏泄... | ||||||
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BZV49-C9V1,115 | NXP Semiconductors | SOT-89 | 7,150 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：9.05 V，电压容差：5 %，电压温度系数：5.5 mV / K，功率耗散：1 W，最大反向漏泄... | ||||||
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BZV55B10 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 10 Volt 500mW 2% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：10 V，电压容差：2 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZV55-B10,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 16,794 | 稳压二极管 500MW 10V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：10 V，电压容差：2 %，电压温度系数：6.4 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55B11 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 11 Volt 500mW 2% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：11 V，电压容差：2 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZV55-B11 /T3 | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-13 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：11 V，电压容差：2 %，电压温度系数：7.4 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55-B11 T/R | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：11 V，电压容差：2 %，电压温度系数：7.4 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55-B11,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 1 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：11 V，电压容差：2 %，电压温度系数：7.4 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55-B11,135 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：11 V，电压容差：2 %，电压温度系数：7.4 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55B12 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 11 Volt 500mW 2% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：12 V，电压容差：2 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZV55-B12 T/R | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：12 V，电压容差：2 %，电压温度系数：8.4 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55-B12,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 9,744 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：12 V，电压容差：2 %，电压温度系数：8.4 mV / K，齐纳电流：5 mA，功率耗散：50... | ||||||
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BZV55-B12,135 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 920 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-13 | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：12 V，电压容差：2 %，电压温度系数：8.4 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55B13 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 13 Volt 500mW 2% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：13 V，电压容差：2 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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