| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FB10R06VE3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 10A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB10R06VE3ENG | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 600V 15A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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FB10R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB15R06KL4 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 19A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB15R06KL4_B1 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 19A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB15R06VE3ENG | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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FB15R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB20R06KL4 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB20R06KL4_B1 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB20R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB20R06W1E3_B1 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 20A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FB20R06XE3 | Infineon Technologies | EASY1 | IGBT 模块 N-CH 600V 27A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB20R06YE3_B1 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 EASYPIM2 - IGBT MODULES | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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FB30R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB30R06W1E3_B1 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 30A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FB6R06VE3ENG | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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FCAS20DN60BB | Fairchild Semiconductor | 20-PowerSIP 模块，成形引线 | IGBT 模块 600V 20A SPM | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：2-Pha... | ||||||
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FCAS30DN60BB | Fairchild Semiconductor | 20-PowerSIP 模块，成形引线 | IGBT 模块 600V 30A SPM | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：2-Pha... | ||||||
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F3L100R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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F3L150R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 150A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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