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MALIEYH07AC510F02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AC510F02K; 10000uF; 35V; 25,4x45; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.01 Farad,容差:20 %,电压额定值:35 V,ESR:0.055 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 10...
MALIEYH07AC515E02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AC515E02K; 15000uF; 25V; 25,4x45; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.015 Farad,容差:20 %,电压额定值:25 V,ESR:0.04 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 10...
MALIEYH07AC522D02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AC522D02K; 22000uF; 16V; 25,4x45; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.022 Farad,容差:20 %,电压额定值:16 V,ESR:0.032 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 1...
MALIEYH07AC533C02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AC533C02K; 33000uF; 10V; 25,4x45; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.033 Farad,容差:20 %,电压额定值:10 V,ESR:0.029 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 1...
MALIEYH07AC539B02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AC539B02K; 39000uF; 6,3V; 25,4x45; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.039 Farad,容差:20 %,电压额定值:6.3 V,ESR:0.026 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + ...
MALIEYH07AD422L02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AD422L02K; 2200uF; 100V; 25,4x50; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:2200 uF,容差:20 %,电压额定值:100 V,ESR:0.129 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 105 ...
MALIEYH07AD468H02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AD468H02K; 6800uF; 50V; 25,4x50; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:6800 uF,容差:20 %,电压额定值:50 V,ESR:0.057 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 105 C...
MALIEYH07AD512F02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AD512F02K; 12000uF; 35V; 25,4x50; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.012 Farad,容差:20 %,电压额定值:35 V,ESR:0.048 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 1...
MALIEYH07AD518E02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AD518E02K; 18000uF; 25V; 25,4x50; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.018 Farad,容差:20 %,电压额定值:25 V,ESR:0.036 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 1...
MALIEYH07AD527D02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AD527D02K; 27000uF; 16V; 25,4x50; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.027 Farad,容差:20 %,电压额定值:16 V,ESR:0.029 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 1...
MALIEYH07AD539C02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AD539C02K; 39000uF; 10V; 25,4x50; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.039 Farad,容差:20 %,电压额定值:10 V,ESR:0.027 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 1...
MALIEYH07AD547B02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AD547B02K; 47000uF; 6,3V; 25,4x50; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.047 Farad,容差:20 %,电压额定值:6.3 V,ESR:0.024 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + ...
MALIEYH07AU382L02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AU382L02K; 820uF; 100V; 25,4x25; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:820 uF,容差:20 %,电压额定值:100 V,ESR:0.323 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 105 C...
MALIEYH07AU415J02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AU415J02K; 1500uF; 63V; 25,4x25; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:1500 uF,容差:20 %,电压额定值:63 V,ESR:0.224 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 105 C...
MALIEYH07AU418J02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AU418J02K; 1800uF; 63V; 25,4x25; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:1800 uF,容差:20 %,电压额定值:63 V,ESR:0.189 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 105 C...
MALIEYH07AU447F02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AU447F02K; 4700uF; 35V; 25,4x25; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:4700 uF,容差:20 %,电压额定值:35 V,ESR:0.103 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 105 C...
MALIEYH07AU510D02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AU510D02K; 10000uF; 16V; 25,4x25; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.01 Farad,容差:20 %,电压额定值:16 V,ESR:0.055 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 10...
MALIEYH07AU515C02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AU515C02K; 15000uF; 10V; 25,4x25; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.015 Farad,容差:20 %,电压额定值:10 V,ESR:0.049 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 1...
MALIEYH07AU518B02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AU518B02K; 18000uF; 6,3V; 25,4x25; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:0.018 Farad,容差:20 %,电压额定值:6.3 V,ESR:0.041 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + ...
MALIEYH07AV410L02K Vishay/Roederstein 径向,Can - 卡入式 铝质电解电容器-管理单元 EYH07AV410L02K; 1000uF; 100V; 25,4x30; +-20%; SNAP IN
参数:制造商:Vishay,电容:1000 uF,容差:20 %,电压额定值:100 V,ESR:0.268 Ohms,工作温度范围:- 40 C to + 105 ...

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