| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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CLY2 | TriQuint Semiconductor | MW-6 | 779 | 射频GaAs晶体管 GaAs LN MMIC | |
| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：1.8 GHz，增益：14.5 dB，漏源电压 VDS：9 V，闸/源击穿电压：- 6 V，漏... | ||||||
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CLY5 | TriQuint Semiconductor | SOT-223 | 901 | 射频GaAs晶体管 GaAs Power MMIC | |
| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：1.8 GHz，增益：9.5 dB，噪声系数：1.72 dB，漏源电压 VDS：9 V，闸/源... | ||||||
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VMMK-1218-BLKG | Avago Technologies | 402 | 射频GaAs晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz | ||
| 参数：Broadcom Limited|带|-|停产|E-pHEMT|-|10GHz|9dB|3 V|100mA|0.81dB|20 mA|12dBm|5 V|-|0... | ||||||
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VMMK-1218-TR1G | Avago Technologies | 402 | 射频GaAs晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz | ||
| 参数：Broadcom Limited|卷带（TR）|-|停产|E-pHEMT|-|10GHz|9dB|3 V|100mA|0.81dB|20 mA|12dBm|5 ... | ||||||
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VMMK-1225-BLKG | Avago Technologies | 402 | 射频GaAs晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz | ||
| 参数：Broadcom Limited|带|-|停产|E-pHEMT|-|12GHz|11dB|2 V|50mA|1dB|20 mA|8dBm|5 V|-|0402（... | ||||||
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VMMK-1225-TR1G | Avago Technologies | 402 | 射频GaAs晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz | ||
| 参数：Broadcom Limited|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|E-pHEMT|-|12GHz|11dB|2 V|5... | ||||||
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T1G6001528-Q3 | TriQuint Semiconductor | EAR99 | 射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB | ||
| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：6 GHz，增益：11.5 dB，漏源电压 VDS：28 V，闸/源击穿电压：- 3.7 V，... | ||||||
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T1G6001528-Q3-EVB1 | TriQuint Semiconductor | EAR99 | 射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB EVAL BRD | ||
| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：6 GHz，增益：11.5 dB，漏源电压 VDS：28 V，闸/源击穿电压：- 3.7 V，... | ||||||
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T1G6003028 | TriQuint Semiconductor | 射频GaAs晶体管 DC-6GHz 30Watt 28Volt GaN | |||
| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，包装形式：Tray，... | ||||||
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T1G4003532-FL | TriQuint Semiconductor | 射频GaAs晶体管 DC-3.5GHz 35Watt 32Volt GaN | |||
| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，包装形式：Tray，... | ||||||
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T1G4003532-FS | TriQuint Semiconductor | 射频GaAs晶体管 DC-3.5GHz 35Watt 32Volt GaN | |||
| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，包装形式：Tray，... | ||||||
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T1P2701012-SP 12V | TriQuint Semiconductor | 139 | 射频GaAs晶体管 .5-3GHz 10W 12Volts pHEMT | ||
| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：500 MHz to 3 GHz，增益：10 dB，正向跨导 ... | ||||||
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TGF1350-SCC | TriQuint Semiconductor | SMD/SMT | 射频GaAs晶体管 DC-18.0GHz 0.3mm MESFET | ||
| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：18 GHz，增益：7 dB，噪声系数：2.5 dB，正向跨导 ... | ||||||
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TGF2021-01 | TriQuint Semiconductor | 4-Pin-Die | 50 | 射频GaAs晶体管 DC-12GHz 1mm Pwr pHEMT (0.35um) | |
| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小... | ||||||
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TGF2021-02 | TriQuint Semiconductor | 4-Pin-Die | 射频GaAs晶体管 DC-12GHz 2mm Pwr pHEMT (0.35um) | ||
| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小... | ||||||
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TGF2021-04 | TriQuint Semiconductor | 8-Pin-Die | 射频GaAs晶体管 DC-12GHz 4mm Pwr pHEMT (0.35um) | ||
| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小... | ||||||
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TGF2021-12 | TriQuint Semiconductor | 18-Pin-Die | 射频GaAs晶体管 DC-12GHz 12mm Pwr pHEMT (0.35um) | ||
| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小... | ||||||
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TGF2022-06 | TriQuint Semiconductor | 2-Pin-Die | 射频GaAs晶体管 DC-20GHz 0.6mm Pwr pHEMT (0.35um) | ||
| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：18 GHz，增益：8 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值... | ||||||
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TGF2022-12 | TriQuint Semiconductor | 4-Pin-Die | 100 | 射频GaAs晶体管 DC-20GHz 1.2mm Pwr pHEMT (0.35um) | |
| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：18 GHz，增益：8 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：450 mS，漏源电压 ... | ||||||
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TGF2022-24 | TriQuint Semiconductor | 8-Pin-Die | 射频GaAs晶体管 DC-20GHz 2.4mm Pwr pHEMT (0.35um) | ||
| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：18 GHz，增益：8 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：900 mS，漏源电压 ... | ||||||
