| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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NE552R479A-T1-A |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 L&S Band Med Power |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，频率：2.45 GHz，增益：11 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.4 S，闸/源击... |
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NE52418-A |
CEL
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SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 NPN L-S Lo Noise Amp |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HBT，频率：2 GHz，增益：16 dB，噪声系数：1 dB，漏源电压 VDS：5 V，... |
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NE52418-T1-A |
CEL
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SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 L to S Band LW Noise AMP NPN GaAs HBT |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HBT，频率：2 GHz，增益：16 dB，噪声系数：1 dB，漏源电压 VDS：5 V，... |
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NE450184C-T1-A |
CEL
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S0-1 |
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射频GaAs晶体管 Ult LW Noise HJ FET 1.0dB NF |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：24 GHz，增益：10 dB，噪声系数：1 dB，正向跨导 gFS（最大... |
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NE4503S01-A |
CEL
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射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，包装形式：Bulk，... |
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NE4503S01-T1-A |
CEL
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射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，包装形式：Tape，... |
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NE6500379A |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源电压 VDS：15 V，闸/源击... |
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NE6500379A-EVPW26 |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 For NE6500379A 2.6G |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源电压 VDS：15 V，闸/源击穿电压：- 7 V，漏极连续电... |
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NE6500379A-T1 |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源电压 VDS：15 V，闸/源击... |
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NE6500496 |
CEL
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Outline96 |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：2.3 GHz，增益：11.5 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值... |
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NE650103M |
NEC/CEL
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3M |
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射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A |
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| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：2.3 GHz，增益：11 dB，漏源电压 VDS：15 V，闸/源击穿电压：- 18 V，漏极连续... |
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NE650103M-A |
CEL
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3M |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET |
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| 参数：CEL|托盘|-|停产|MOSFET|-|2.3GHz|11dB|10 V|5A|-|1.5 A|40dBm|15 V|-|SOT-445 变式|3M... |
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NE6501077 |
CEL
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Outline77 |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：2.3 GHz，增益：10.5 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值... |
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NE6510179A |
NEC/CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，技术类型：HEMT，频率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源电压 VDS：8 V，闸/源击穿电压：- 4 V，漏极连续电流：2... |
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NE6510179A-A |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|10dB|3.5 V|2.8A|-|200 mA|32.5dBm|8 V|-|4-SMD，扁平... |
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NE6510179A-EVPW19 |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：HEMT，频率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源电压 VDS：8 V，闸/源击穿电压... |
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NE6510179A-EVPW24 |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：HEMT，频率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源电压 VDS：8 V，闸/源击穿电压... |
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NE6510179A-EVPW26 |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：HEMT，频率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源电压 VDS：8 V，闸/源击穿电压... |
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NE6510179A-EVPW35 |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：HEMT，频率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源电压 VDS：8 V，闸/源击穿电压... |
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NE6510179A-T1-A |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 参数：CEL|卷带（TR）|-|停产|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|10dB|3.5 V|2.8A|-|200 mA|32.5dBm|8 V|-|4-SM... |
