| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BGA 622L7 E6327 | Infineon Technologies | TSLP-7-1 | 射频放大器 RF SILICON MMIC Amp Chipl GP 6GHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，输入返回损失：7 dB，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：35 mW，最小工作温度：- ... | ||||||
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BGA 628L7 E6327 | Infineon Technologies | TSLP-7-8 | 射频放大器 RF SILICON MMIC PG-TSLP-7 | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：35 mW，最小工作温度：- 65 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：... | ||||||
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BGA 711L7 E6327 | Infineon Technologies | TSLP-7-1 | 275 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：1.1... | ||||||
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BGA 712L16 E6327 | Infineon Technologies | - | 7,500 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BGA712L16，工厂包装数量：7500，零件号别名：BGA712L1... | ||||||
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BGA 713L7 E6327 | Infineon Technologies | 射频放大器 Single Band UMTS LNA 3.6V 10mA | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BGA713L7，零件号别名：BGA713L7E6327XT BGA713L7E6327XTS... | ||||||
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BGA 715L7 E6327 | Infineon Technologies | TSLP-7-1 | 429 | 射频放大器 Low Noise Amplifier 3.3 V 3.3mA | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，最大工作温度：+ 85 C，最大功率耗散：36 mW，最小工作温度：- 40 C，安装风格：SMD... | ||||||
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BGA 728L7 E6327 | Infineon Technologies | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BGA728L7，工厂包装数量：7500，零件号别名：BGA728L7E... | ||||||
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BGA 734L16 E6327 | Infineon Technologies | TSLP-16-1 | 7,500 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，输入返回损失：27 dB，隔离分贝：36 dB，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30... | ||||||
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BGA 735N16 E6327 | Infineon Technologies | TSNP-16-1 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | ||
| 参数：制造商：Infineon，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30 C，噪声系数：1.1 dB，工作电源电压：2.8 V，封装形式：TSNP-16-1... | ||||||
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BGA 736L16 E6327 | Infineon Technologies | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BGA736L16，工厂包装数量：7500，零件号别名：BGA736L1... | ||||||
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BGA 748L16 E6327 | Infineon Technologies | TSNP-16-1 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | ||
| 参数：制造商：Infineon，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30 C，噪声系数：1.1 dB，工作频率：880 MHz，工作电源电压：2.8 V，封... | ||||||
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BGA 748N16 E6327 | Infineon Technologies | TSNP-16-1 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | ||
| 参数：制造商：Infineon，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30 C，噪声系数：1.1 dB，工作频率：880 MHz，工作电源电压：2.8 V，封... | ||||||
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BGA 749N16 E6327 | Infineon Technologies | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BGA749N16，零件号别名：BGA749N16E6327XT BGA749N16E6327... | ||||||
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BGA 751L7 E6327 | Infineon Technologies | TSLP-7-1 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：1.0... | ||||||
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BGA 758L7 E6327 | Infineon Technologies | PG-TSLP-7-8 | 18,318 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，最大工作温度：+ 85 C，最大功率耗散：48 mW，最小工作温度：- 65 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：1... | ||||||
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BGA 771N16 | Infineon Technologies | 射频放大器 Hi Linear Dual Band UMTS LNA 3.6V 10mA | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BGA771N16XT，... | ||||||
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BGA 777L7 E6327 | Infineon Technologies | TSLP-7-1 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | ||
| 参数：制造商：Infineon，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：1.2 dB，工作频率：2.65 GHz，... | ||||||
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BGA 915N7 E6327 | Infineon Technologies | PG-TSNP-7-6 | 射频放大器 RF SI GPS Low Noise Amp | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BGA915N7，零件号别名：BGA915N7E6327XT BGA915N7E6327XTM... | ||||||
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BGA 925L6 E6327 | Infineon Technologies | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |||
| 参数：制造商：Infineon，零件号别名：BGA925L6E6327XT BGA925L6E6327XTSA1 SP000902116，... | ||||||
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BGA2001,115 | NXP Semiconductors | CMPAK-4 | 射频放大器 MMAMPLIFIER | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频放大器，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：135 mW，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：1.3 dB，... | ||||||
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