| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BGA 231L7 E6327 | Infineon Technologies | 射频放大器 RF SI | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，工作频率：3 GHz，包装形式：Reel，系列：BGA231L7，零件号别名：BGA231L7E6327XT BGA23... | ||||||
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BGA 416 E6327 | Infineon Technologies | 射频放大器 RF Cascode Amplifier 5.5mA 3V | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，隔离分贝：40 dB，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：100 mW，最小工作温度：- ... | ||||||
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BGA 420 E6327 | Infineon Technologies | SOT-343-4 | 射频放大器 Cascadable MMIC Amplifier | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，输入返回损失：11 dB，隔离分贝：28 dB，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：90 ... | ||||||
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BGA 420 E6433 | Infineon Technologies | 射频放大器 Si-MMIC-Amp in SIEGET 25-Technology | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，工作频率：3 GHz，包装形式：Reel，零件号别名：BGA420E6433XT，... | ||||||
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BGA 420 H6327 | Infineon Technologies | 射频放大器 RF SI MMIC-Amp SIEGET 25 Tech | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，工作频率：3 GHz，包装形式：Reel，系列：BGA420，工厂包装数量：3000，零件号别名：BGA420H6327... | ||||||
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BGA 420 H6433 | Infineon Technologies | 射频放大器 RF SI MMIC-Amp SIEGET 25 Tech | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，工作频率：3 GHz，包装形式：Reel，工厂包装数量：10000，零件号别名：BGA420H6433XT，... | ||||||
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BGA 427 E6327 | Infineon Technologies | 射频放大器 Cascadable MMIC Amplifier | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，输入返回损失：12 dB，隔离分贝：22 dB，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：150... | ||||||
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BGA 427 H6327 | Infineon Technologies | SOT-343 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | ||
| 参数：制造商：Infineon，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：150 mW，最小工作温度：- 65 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：2.2 dB... | ||||||
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BGA 428 E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | 74 | 射频放大器 High Gain LN MMIC Amplifier | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，最大工作温度：+ 85 C，最大功率耗散：50 mW，最小工作温度：- 40 C，安装风格：SMD... | ||||||
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BGA 428 H6327 | Infineon Technologies | SOT-363-6 | 816 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，最大工作温度：+ 85 C，最大功率耗散：50 mW，最小工作温度：- 40 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：1... | ||||||
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BGA 461 E6327 | Infineon Technologies | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，工作频率：3 GHz，包装形式：Reel，系列：BGA461，工厂包装数量：7500，零件号别名：... | ||||||
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BGA 612 E6327 | Infineon Technologies | 射频放大器 Broadband MMIC Amplifier | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，输入返回损失：17 dB，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：225 mW，最小工作温度：... | ||||||
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BGA 612 H6327 | Infineon Technologies | SOT-343-4 | 744 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：225 mW，最小工作温度：- 65 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数... | ||||||
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BGA 614 E6327 | Infineon Technologies | SOT-343 | 射频放大器 Silicn Germanium Broadband MMIC Amp | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，输入返回损失：13.7 dB，隔离分贝：20.6 dB，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：2.3... | ||||||
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BGA 614 H6327 | Infineon Technologies | SOT-343-4 | 1197 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：240 mW，最小工作温度：- 65 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数... | ||||||
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BGA 615L7 E6327 | Infineon Technologies | TSLP-7-1 | 射频放大器 Silicn Germanium GPS Lw Noise Amp 2.8V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，最大工作温度：+ 85 C，最大功率耗散：36 mW，最小工作温度：- 30 C，安装风格：SMD... | ||||||
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BGA 616 E6327 | Infineon Technologies | SOT-343-4 | 1970 | 射频放大器 Broadband MMIC Amplifier | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，输入返回损失：15 dB，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：360 mW，最小工作温度：... | ||||||
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BGA 616 H6327 | Infineon Technologies | SOT-343-4 | 2059 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：360 mW，最小工作温度：- 65 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数... | ||||||
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BGA 622 E6820 | Infineon Technologies | 射频放大器 RF Amp Chip Single GP 6GHz 2.75V | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，输入返回损失：7 dB，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：35 mW，最小工作温度：- ... | ||||||
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BGA 622 H6820 | Infineon Technologies | SOT-343 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | ||
| 参数：制造商：Infineon，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：35 mW，最小工作温度：- 65 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：1 dB，工作... | ||||||
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