| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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,TO-226_straightlead.jpg)
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FPN560 | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|NPN|3 A|60 V|350mV @ 200mA，2A|100nA（ICBO）|100 @ 500mA，2V|1 W|75MH... | ||||||
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FPN560_Q | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：80 V，集电极—发射... | ||||||
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FPN560A | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|NPN|3 A|60 V|300mV @ 200mA，2A|100nA（ICBO）|250 @ 500mA，2V|1 W|75MH... | ||||||
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FPN560A_D26Z | Fairchild Semiconductor | TO-92-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|卷带（TR）|-|停产|NPN|3 A|60 V|300mV @ 200mA，2A|100nA（ICBO）|250 @ 500mA，2V|1 W|... | ||||||
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FPN560A_D27Z | Fairchild Semiconductor | TO-92-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|卷带（TR）|-|停产|NPN|3 A|60 V|300mV @ 200mA，2A|100nA（ICBO）|250 @ 500mA，2V|1 W|... | ||||||
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FPN560A_D75Z | Fairchild Semiconductor | TO-92-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|带盒（TB）|-|停产|NPN|3 A|60 V|300mV @ 200mA，2A|100nA（ICBO）|250 @ 500mA，2V|1 W|... | ||||||
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FPN560A_Q | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：80 V，集电极—发射... | ||||||
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FPN630 | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|PNP|3 A|30 V|300mV @ 100mA，1A|100nA（ICBO）|100 @ 100mA，2V|1 W|100M... | ||||||
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FPN630_Q | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：35 V，集电极—发射... | ||||||
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FPN630A | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|PNP|3 A|30 V|250mV @ 100mA，1A|100nA（ICBO）|250 @ 100mA，2V|1 W|100M... | ||||||
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FPN630A_Q | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：35 V，集电极—发射... | ||||||
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FPN660 | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|PNP|3 A|60 V|450mV @ 200mA，2A|100nA（ICBO）|100 @ 500mA，2V|1 W|75MH... | ||||||
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FPN660_Q | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：80 V，集电极—发射... | ||||||
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FPN660A | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|PNP|3 A|60 V|400mV @ 200mA，2A|100nA（ICBO）|250 @ 500mA，2V|1 W|75MH... | ||||||
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FPN660A_D26Z | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|卷带（TR）|-|停产|PNP|3 A|60 V|400mV @ 200mA，2A|100nA（ICBO）|250 @ 500mA，2V|1 W|... | ||||||
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FPN660A_D27Z | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|卷带（TR）|-|停产|PNP|3 A|60 V|400mV @ 200mA，2A|100nA（ICBO）|250 @ 500mA，2V|1 W|... | ||||||
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FPN660A_D75Z | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|带盒（TB）|-|停产|PNP|3 A|60 V|400mV @ 200mA，2A|100nA（ICBO）|250 @ 500mA，2V|1 W|... | ||||||
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FPN660A_Q | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：60 V，集电极—发射... | ||||||
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FMMT3903TA | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23 | 两极晶体管 - BJT - | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：60 V，集电极—发射极最大电压 VCEO：4... | ||||||
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FMMT3903TC | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23 | 两极晶体管 - BJT - | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：60 V，集电极—发射极最大电压 VCEO：4... | ||||||
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