| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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HN7G08FE-A(TE85L,F | Toshiba | ES-6 | 3996 | 两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：- 15 V，集电极—... | ||||||
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HN7G09FE | Toshiba | 两极晶体管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N Ic=100mA Id=100mA | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，... | ||||||
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HN7G09FE(TE85L,F) | Toshiba | ES-6 | 3992 | 两极晶体管 - BJT Vceo=50V Vds=30V Ic=100mA Id=100mA | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：50 V，集电极—发射... | ||||||
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HFA3096BZ | Intersil | 16-SOIC | 8,965 | 两极晶体管 - BJT W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL | |
| 参数：制造商：Intersil，RoHS：是，配置：Quint，晶体管极性：NPN/PNP，集电极—基极电压 VCBO：12 V，集电极—发射极最大电压 VCEO：8... | ||||||
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GA16JT17-247 | GeneSiC Semiconductor | TO-247AB | 两极晶体管 - BJT SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 110mO- 16A | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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FMY1AT148 | ROHM Semiconductor | SMT5 | 256 | 两极晶体管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA SMT5 | |
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|NPN，PNP（耦合发射器）|150mA|50V... | ||||||
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FMY4AT148 | ROHM Semiconductor | SMT5 | 两极晶体管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA | ||
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|不适用于新设计|NPN，PNP|150mA|50V，6... | ||||||
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FMY5T148 | ROHM Semiconductor | SMT5 | 3,050 | 两极晶体管 - BJT NPN/PNP 120V 50MA | |
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|不适用于新设计|NPN，PNP（耦合发射器）|50mA... | ||||||
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FPN330 | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|NPN|3 A|30 V|500mV @ 100mA，1A|100nA（ICBO）|100 @ 100mA，2V|1 W|100M... | ||||||
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FPN330_Q | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：50 V，集电极—发射... | ||||||
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FPN330A | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|NPN|3 A|30 V|450mV @ 100mA，1A|100nA（ICBO）|250 @ 100mA，2V|1 W|100M... | ||||||
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FPN330A_Q | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：50 V，集电极—发射... | ||||||
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FPN430 | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|PNP|2 A|30 V|500mV @ 100mA，1A|100nA（ICBO）|100 @ 100mA，2V|1 W|100M... | ||||||
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FPN430_Q | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：35 V，集电极—发射... | ||||||
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FPN430A | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|PNP|2 A|30 V|450mV @ 100mA，1A|100nA（ICBO）|250 @ 100mA，2V|1 W|100M... | ||||||
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FPN430A_Q | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：35 V，集电极—发射... | ||||||
,TO-226_straightlead.jpg)
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FPN530 | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|NPN|3 A|30 V|300mV @ 100mA，1A|100nA（ICBO）|100 @ 100mA，2V|1 W|150M... | ||||||
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FPN530_Q | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：60 V，集电极—发射... | ||||||
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FPN530A | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|NPN|3 A|30 V|250mV @ 100mA，1A|100nA（ICBO）|250 @ 100mA，2V|1 W|150M... | ||||||
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FPN530A_Q | Fairchild Semiconductor | TO-226 | 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：60 V，集电极—发射... | ||||||
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