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点击查看2SC5242RTU参考图片 2SC5242RTU Fairchild Semiconductor TO-3P 两极晶体管 - BJT NPN 230V 15A 130W
参数:onsemi|管件|-|停产|NPN|17 A|250 V|3V @ 800mA,8A|5μA(ICBO)|55 @ 1A,5V|130 W|30MHz|-55...
点击查看2SC5245A-4-TL-E参考图片 2SC5245A-4-TL-E ON Semiconductor 3-MCP 两极晶体管 - BJT HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER
参数:制造商:ON Semiconductor,产品种类:两极晶体管 - BJT ,RoHS:是,包装形式:Reel,...
点击查看2SC5277A-2-TL-E参考图片 2SC5277A-2-TL-E ON Semiconductor SMCP 两极晶体管 - BJT BIP NPN 30MA 10V FT=8G
参数:制造商:ON Semiconductor,RoHS:是,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 ...
点击查看2SC5291S-AY参考图片 2SC5291S-AY ON Semiconductor FLP 两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V
参数:onsemi|卷带(TR)|-|停产|NPN|1.5 A|160 V|450mV @ 50mA,500mA|1μA(ICBO)|100 @ 100mA,5V|1...
点击查看2SC5347AE-TD-E参考图片 2SC5347AE-TD-E ON Semiconductor PCP 两极晶体管 - BJT HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER
参数:制造商:ON Semiconductor,RoHS:是,包装形式:Reel,...
点击查看2SC5347AF-TD-E参考图片 2SC5347AF-TD-E ON Semiconductor PCP 61 两极晶体管 - BJT VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER
参数:制造商:ON Semiconductor,RoHS:是,包装形式:Reel,...
点击查看2SC5359-O(Q)参考图片 2SC5359-O(Q) Toshiba TO-3P(L) 10 两极晶体管 - BJT Transistor NPN 230V 15A
参数:Toshiba Semiconductor and Storage|散装|-|在售|NPN|15 A|230 V|3V @ 800mA,8A|5μA(ICBO)...
点击查看2SC536NF-NPA-AT参考图片 2SC536NF-NPA-AT ON Semiconductor TO-92(TO-226) 两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V
参数:onsemi|卷带(TR)|-|停产|NPN|150 mA|50 V|300mV @ 10mA,100mA|100nA(ICBO)|160 @ 1mA,6V|5...
点击查看2SC536NG-NPA-AT参考图片 2SC536NG-NPA-AT ON Semiconductor TO-92(TO-226) 两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V
参数:onsemi|卷带(TR)|-|停产|NPN|150 mA|50 V|300mV @ 10mA,100mA|100nA(ICBO)|280 @ 1mA,6V|5...
点击查看2SC5374A-TL-E参考图片 2SC5374A-TL-E ON Semiconductor SMCP 两极晶体管 - BJT BIP NPN 100MA 10V FT=5.2G
参数:制造商:ON Semiconductor,RoHS:是,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V,发射极 - 基极电压 VEBO:2 V,...
2SC5382-7000 Shindengen FTO-220 两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=6 HFE=10
参数:制造商:Shindengen,产品种类:两极晶体管 - BJT ,RoHS:是,晶体管极性:NPN,集电极—基极电压 VCBO:1.2 kV,集电极—发射极最大...
2SC5382-7100 Shindengen FTO-220 两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=6 HFE=10
参数:制造商:Shindengen,产品种类:两极晶体管 - BJT ,RoHS:是,晶体管极性:NPN,集电极—基极电压 VCBO:1.2 kV,集电极—发射极最大...
2SC5382-7112 Shindengen FTO-220 两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=6 HFE=10
参数:制造商:Shindengen,产品种类:两极晶体管 - BJT ,RoHS:是,晶体管极性:NPN,集电极—基极电压 VCBO:1.2 kV,集电极—发射极最大...
点击查看2SC5415AE-TD-E参考图片 2SC5415AE-TD-E ON Semiconductor PCP 两极晶体管 - BJT ULAHIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
参数:制造商:ON Semiconductor,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V,发射极 - 基极电压...
点击查看2SC5415AF-TD-E参考图片 2SC5415AF-TD-E ON Semiconductor PCP 两极晶体管 - BJT
参数:制造商:ON Semiconductor,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V,发射极 - 基极电压 VEBO:2 V,直流集电极/B...
点击查看2SC5439(F)参考图片 2SC5439(F) Toshiba TO-220NIS 两极晶体管 - BJT NPN 450V 8A Transistor
参数:Toshiba Semiconductor and Storage|管件|-|停产|NPN|8 A|450 V|1V @ 640mA,3.2A|100μA(IC...
点击查看2SC5488A-TL-H参考图片 2SC5488A-TL-H ON Semiconductor 3-SSFP 两极晶体管 - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER
参数:制造商:ON Semiconductor,产品种类:两极晶体管 - BJT ,RoHS:是,包装形式:Reel,...
点击查看2SC5490A-TL-H参考图片 2SC5490A-TL-H ON Semiconductor 3-SSFP 两极晶体管 - BJT BIP NPN 30MA 10V FT=8G
参数:制造商:ON Semiconductor,RoHS:是,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 ...
点击查看2SC5501A-4-TR-E参考图片 2SC5501A-4-TR-E ON Semiconductor 4-MCP 两极晶体管 - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER
参数:制造商:ON Semiconductor,产品种类:两极晶体管 - BJT ,RoHS:是,包装形式:Reel,...
点击查看2SC5536A-TL-H参考图片 2SC5536A-TL-H ON Semiconductor 3-SSFP 15,732 两极晶体管 - BJT BIP NPN 50MA 12V FT=1.7G
参数:制造商:ON Semiconductor,RoHS:是,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V,发射极 - 基极电压 VEBO:2 V,...

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