| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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2SC5200 | STMicroelectronics | TO-264 | 两极晶体管 - BJT 230V High Power NPN 30 MHz Audio Pwr App | ||
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|停产|NPN|15 A|230 V|3V @ 800mA，8A|5μA（ICBO）|55 @ 1A，5V|150... | ||||||
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2SC5200-O | Toshiba | 2-21F1A | 两极晶体管 - BJT NPN 230V 15A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：230 V，集电极... | ||||||
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2SC5200-O(Q) | Toshiba | TO-3P（L） | 两极晶体管 - BJT NPN 230V 15A | ||
| 参数：Toshiba Semiconductor and Storage|管件|-|在售|NPN|15 A|230 V|3V @ 800mA，8A|5μA（ICBO）... | ||||||
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2SC5200OTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | 1,887 | 两极晶体管 - BJT NPN 230V 15A 150W | |
| 参数：onsemi|管件|-|在售|NPN|17 A|250 V|3V @ 800mA，8A|5μA（ICBO）|80 @ 1A，5V|150 W|30MHz|-50... | ||||||
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2SC5200-R(Q) | Toshiba | TO-3P | 两极晶体管 - BJT Transistor NPN 230V 15A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：230 V，集电极... | ||||||
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2SC5200RTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | 两极晶体管 - BJT NPN 230V 15A 150W | ||
| 参数：onsemi|管件|-|停产|NPN|17 A|250 V|3V @ 800mA，8A|5μA（ICBO）|55 @ 1A，5V|150 W|30MHz|-50... | ||||||
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2SC5226A-4-TL-E | ON Semiconductor | SC-70 / MCP3 | 两极晶体管 - BJT VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：10 V，发射极 - 基极电压... | ||||||
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2SC5226A-5-TL-E | ON Semiconductor | 3-MCP | 两极晶体管 - BJT VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：10 V，发射极 - 基极电压... | ||||||
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2SC5227A-4-TB-E | ON Semiconductor | 3-CP | 两极晶体管 - BJT ULAHIGH-FREQUENCY TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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2SC5227A-5-TB-E | ON Semiconductor | 3-CP | 两极晶体管 - BJT LOW-NOISE AMPLIFIER | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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2SC5231A-8-TL-E | ON Semiconductor | SMCP | 两极晶体管 - BJT HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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2SC5231A-9-TL-E | ON Semiconductor | SMCP | 两极晶体管 - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=7G | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：10 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2 V，... | ||||||
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2SC5241-7000 | Shindengen | FTO-220 | 两极晶体管 - BJT VCEO=450 IC=5 HFE=10 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：600 V，集电极—发射极最大电... | ||||||
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2SC5241-7100 | Shindengen | FTO-220 | 两极晶体管 - BJT VCEO=450 IC=5 HFE=10 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：600 V，集电极—发射极最大电... | ||||||
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2SC5241-7112 | Shindengen | FTO-220 | 两极晶体管 - BJT VCEO=450 IC=5 HFE=10 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：600 V，集电极—发射极最大电... | ||||||
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2SC5242-O | Toshiba | TO-3P | 两极晶体管 - BJT NPN 230V 15A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：230 V，集电极... | ||||||
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2SC5242-O(Q) | Toshiba | TO-3P（N） | 两极晶体管 - BJT NPN 230V 15A | ||
| 参数：Toshiba Semiconductor and Storage|托盘|-|在售|NPN|15 A|230 V|3V @ 800mA，8A|5μA（ICBO）... | ||||||
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2SC5242-O(Q,T) | Toshiba | TO-3P | 7 | 两极晶体管 - BJT Transistor NPN 230V 15A | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：230 V，集电极... | ||||||
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2SC5242OTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | 3,874 | 两极晶体管 - BJT NPN 230V 15A 130W | |
| 参数：onsemi|管件|-|在售|NPN|17 A|250 V|3V @ 800mA，8A|5μA（ICBO）|80 @ 1A，5V|130 W|30MHz|-55... | ||||||
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2SC5242-R(Q) | Toshiba | TO-3P | 69 | 两极晶体管 - BJT Transistor NPN 230V 15A | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：230 V，集电极... | ||||||
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