| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
|
NE02133-A |
CEL
|
|
|
射频双极小信号晶体管 NPN SILICON AMP |
|
| 参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Bulk,... |
|
NE02133-R2-A |
CEL
|
|
|
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor |
|
| 参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Bulk,... |
|
NE02133-R3-A |
CEL
|
|
|
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor |
|
| 参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Bulk,... |
|
NE02133-T1B |
CEL
|
SOT-23 |
|
射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency |
|
| 参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.07 A,封装形式:SOT-23,包装形式:Reel,安装风格:SMD... |
|
NE02133-T1B-A |
CEL
|
|
|
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor |
|
| 参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Taped,... |
|
NE02133-T1B-R2-A |
CEL
|
|
|
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist |
|
| 参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Taped,... |
|
NE02133-T1B-R3 |
CEL
|
SOT-23 |
|
射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency |
|
| 参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.07 A,封装形式:SOT-23,包装... |
|
NE02133-T1B-R3-A |
CEL
|
|
|
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist |
|
| 参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Taped,... |
|
NE02135 |
NEC/CEL
|
|
|
射频双极小信号晶体管 MICRO-X NPN HI-FREQ |
|
| 参数:制造商:NEC,RoHS:否,配置:Single,工厂包装数量:200,... |
|
NE02139-T1 |
CEL
|
|
|
射频双极小信号晶体管 SOT-143 NPN HI FREQ |
|
| 参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,包装形式:Reel,工厂包装数量:3000,... |
|
NJM2129D |
NJR
|
DIP-14 |
|
射频双极小信号晶体管 Remote Control Interface |
|
| 参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,功率耗散:700 mW,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DIP-14,包... |
|
NJM2129M |
NJR
|
DMP-14 |
|
射频双极小信号晶体管 Remote Control Interface |
|
| 参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,功率耗散:300 mW,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DMP-14,包... |
|
NJM2129M-TE1 |
NJR
|
DMP-14 |
|
射频双极小信号晶体管 Remote Control Interface |
|
| 参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,功率耗散:300 mW,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DMP-14,包... |
|
NJM2129M-TE2 |
NJR
|
DMP-14 |
|
射频双极小信号晶体管 Remote Control Interface |
|
| 参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,功率耗散:300 mW,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DMP-14,包... |
|
NJM2145D |
NJR
|
DIP-16 |
|
射频双极小信号晶体管 RemoteInterface |
|
| 参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DIP-16,最小工作温度:- 20 C,安装风格:Thro... |
|
NJM2145M |
NJR
|
DMP-16 |
|
射频双极小信号晶体管 Remote Control Interface |
|
| 参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,功率耗散:300 mW,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DMP-16,包... |
|
NJM2145M-TE2 |
NJR
|
DMP-16 |
|
射频双极小信号晶体管 Remote Interface |
|
| 参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,功率耗散:300 mW,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DMP-16,包... |
|
KST24MTF |
Fairchild Semiconductor
|
SOT-23-3 |
|
射频双极小信号晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial |
|
| 参数:onsemi|卷带(TR)|-|停产|NPN|100 mA|30 V|-|50nA(ICBO)|30 @ 8mA,10V|350 mW|620MHz|-|表面贴... |
|
KST5179MTF |
Fairchild Semiconductor
|
SOT-23-3 |
|
射频双极小信号晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial |
|
| 参数:制造商:Fairchild Semiconductor,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:90... |
|
KSC838YBU |
Fairchild Semiconductor
|
TO-92-3 |
|
射频双极小信号晶体管 NPN Epitaxial Sil |
|
| 参数:onsemi|散装|-|停产|NPN|30 mA|30 V|400mV @ 1mA,10mA|100nA(ICBO)|120 @ 2mA,12V|250 mW|... |