| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BFR 92W H6327 | Infineon Technologies | 射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR92，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFR92WH... | ||||||
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BFR 93A E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V，发射... | ||||||
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BFR 93AW E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V，发射... | ||||||
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BFR 93AW H6327 | Infineon Technologies | 射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR93，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFR93AW... | ||||||
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BFR 949L3 E6327 | Infineon Technologies | PG-TSLP-3-1 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 10V 50mA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：9000 MHz，集电极—发射极最... | ||||||
SOT23.jpg)
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BFR106,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | 射频双极小信号晶体管 NPN 15V 5GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：5000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFR30 T/R | NXP Semiconductors | SOT-23 | 射频双极小信号晶体管 N-CH 25V 10mA | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作温度：+ 150 C，封装形式：SOT-23，包装形式：Reel... | ||||||
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BFQ34/01,112 | NXP Semiconductors | 射频双极小信号晶体管 BULK TNS-RFSS | |||
| 参数：制造商：NXP，包装形式：Tube，工厂包装数量：20，... | ||||||
SOT89.jpg)
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BFQ149,115 | NXP Semiconductors | SOT-89-3 | 射频双极小信号晶体管 PNP 15V 100mA 5GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，最大工作频率：5000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFQ18A,115 | NXP Semiconductors | SOT-89-3 | 射频双极小信号晶体管 NPN 18V 150mA 4GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：4000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFQ19,115 | NXP Semiconductors | SOT-89-3 | 射频双极小信号晶体管 NPN 15V 100mA 5.5GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：5500 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFQ540,115 | NXP Semiconductors | SOT-89-3 | 射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：9000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFQ591,115 | NXP Semiconductors | SOT-89-3 | 射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：7000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFQ67,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | 射频双极小信号晶体管 NPN 50MA 10V 8GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
SOT323.jpg)
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BFQ67W,115 | NXP Semiconductors | SC-70 | 射频双极小信号晶体管 NPN 10V 50mA 8GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8000 MHz，集电极—发射极最大电压 VCEO：10 ... | ||||||
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BFQ67W,135 | NXP Semiconductors | SC-70 | 射频双极小信号晶体管 Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：10 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2.5 V，集... | ||||||
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BFQ68,112 | NXP Semiconductors | 射频双极小信号晶体管 BULK TNS-RFSS | |||
| 参数：制造商：NXP，包装形式：Tube，工厂包装数量：20，... | ||||||
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BFR 106 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，功率耗散：700 mW，最大工作温度：+ 150... | ||||||
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BFR 181 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 3552 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，功率耗散：175 mW，最大工作温度：+ 150... | ||||||
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BFR 181 E6780 | Infineon Technologies | PG-SOT23 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，功率耗散：175 mW，最大工作温度：+ 150... | ||||||
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