| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FSAD30SH60 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 600V 30A SPIM | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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FSAM10SH60 | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V 10A SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.8 V，在25 C... | ||||||
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FSAM10SH60A | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V/10A/ SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FSAM10SM60A | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V/10A/ SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FSAM15SH60 | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V 15A SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.8 V，在25 C... | ||||||
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FSAM15SH60A | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V/15A/ SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FSAM15SL60 | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V 15A SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FSAM20SH60A | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V/20A/ SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FSAM20SL60 | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V 20A SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FSAM20SM60A | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V/20A/ SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FSBF3CH60B | Fairchild Semiconductor | 27-PowerDIP 模块（1.205"，30.60mm） | IGBT 晶体管 Smart Power Module | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
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FSBM10SH60 | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V 10A SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，在25 C... | ||||||
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FSBM10SH60A | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V/10A/ SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，在25 C... | ||||||
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FSBM10SM60A | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V/10A/ SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，在25 C... | ||||||
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FSBM15SH60 | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V 15A SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.8 V，在25 C... | ||||||
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FSBM15SH60A | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V/15A/ SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Triple Common Emitter Common Gate，集电极—发射极最... | ||||||
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FSBM15SL60 | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V 15A SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，在25 C... | ||||||
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FSBM15SM60A | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V/15A/ SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，在25 C... | ||||||
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FSBM20SH60A | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V/20A/ SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，在25 C... | ||||||
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FSBM20SL60 | Fairchild Semiconductor | 32-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） | IGBT 晶体管 600V 20A SPM2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，在25 C... | ||||||
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