| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW40N60H3 | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT 晶体管 600V 40A 306W | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.95 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25... | ||||||
|
|
IKW40N65F5 | Infineon Technologies | PG-TO-247-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | 895 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.6 V，栅极/发射极最大电压... | ||||||
|
|
IKW40N65H5 | Infineon Technologies | PG-TO-247-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.65 V，栅极/发射极最大电... | ||||||
|
|
IKW40T120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
IKW50N60H3 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 HIGH SPEED SWITCHING | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3XK SP000852244，... | ||||||
|
|
IKW50N60T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
IKW50N60TA | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT 晶体管 600V 50A 100nA | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.95 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25... | ||||||
|
|
IKW50N65F5 | Infineon Technologies | PG-TO-247-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.6 V，栅极/发射极最大电压... | ||||||
|
|
IKW50N65H5 | Infineon Technologies | PG-TO-247-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.65 V，栅极/发射极最大电... | ||||||
|
IKW75N60T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 75A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.... | ||||||
|
|
IKW75N60TA | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT 晶体管 600V 75A 100nA | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.95 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25... | ||||||
.jpg)
|
IXGH40N60B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGH40N60B2 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，... | ||||||
|
|
IXGH40N60B2D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGH40N60C | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGH40N60C2 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，... | ||||||
61/234 首页 上页 [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] 下页 尾页
