| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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HGT1N30N60A4 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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HGT1N30N60A4D | Fairchild Semiconductor | SOT-227B | IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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HGT1N40N60A4D | Fairchild Semiconductor | SOT-227B | IGBT 晶体管 45A 600V N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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HGT1S10N120BNS | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 35A 1200V NPT N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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HGT1S10N120BNST | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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HGT1S12N60A4DS | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 12A 600V N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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HGT1S12N60A4S9A | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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HGT1S14N36G3VLS | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 Coil Dr 14A 360V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：24 V... | ||||||
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HGT1S14N36G3VLT | Fairchild Semiconductor | I2PAK（TO-262） | IGBT 晶体管 14a 380V Logic Level | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：24 V... | ||||||
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HGT1S14N37G3VLS | Fairchild Semiconductor | TO-263AB-3 | IGBT 晶体管 14A 370V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：380 ... | ||||||
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HGT1S14N40F3VLS | Fairchild Semiconductor | TO-263AB-3 | IGBT 晶体管 14a 380V Logic Level | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：420 ... | ||||||
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HGT1S20N35G3VLS | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 Coil Dr 20A 350V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：375 ... | ||||||
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HGT1S20N36G3VL | Fairchild Semiconductor | I2PAK（TO-262） | IGBT 晶体管 20A 360V Clamp | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：395 V，集电极—射极饱和电压：1... | ||||||
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HGT1S20N36G3VLS | Fairchild Semiconductor | TO-263AB-3 | IGBT 晶体管 20A 360V Clamp | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：395 ... | ||||||
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HGT1S20N60A4S9A | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V SMPS SERIES NCH IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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HGT1S20N60C3S9A | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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HGT1S2N120CN | Fairchild Semiconductor | TO-262 | IGBT 晶体管 2.6A 1200V N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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HGT1S3N60A4DS | Fairchild Semiconductor | TO-263AB-3 | IGBT 晶体管 TO-263 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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HGT1S3N60A4DS9A | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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HGT1S7N60A4DS | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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