| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FGA60N65SMD | Fairchild Semiconductor | TO-3P | 454 | IGBT 晶体管 650V, 60A Field Stop IGBT | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.9 V，栅极/发射... | ||||||
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FGA70N30TDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶体管 300V 70A PDP IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGA70N30TTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶体管 300V PDP | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGA70N33BTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 N-Ch/ 70A 330V PDP | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 ... | ||||||
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FGA90N30DTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 TBD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGA90N30TU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 TBD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGA90N33ATDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 330V 90A PDP Trench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 ... | ||||||
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FGA90N33ATTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 330V 90A PDP Trench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 ... | ||||||
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FGAF20N60SMD | Fairchild Semiconductor | TO-3PF | IGBT 晶体管 600 V 40 A 62.5 W | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.9 V，栅极/发射... | ||||||
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FGAF40N60SMD | Fairchild Semiconductor | TO-3PF | IGBT 晶体管 600 V 80 A 79 W | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射... | ||||||
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FGAF40N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PF-3 | 198 | IGBT 晶体管 Ultrafast | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGAF40N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PF | 104 | IGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGB20N60SF | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | 139 | IGBT 晶体管 600V, 20A Field Stop IGBT | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.2 V，栅极/发射... | ||||||
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FGB20N60SFD | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.8 V，栅极/发射... | ||||||
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FGB20N6S2 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 Sgl N-Ch 600V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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FGB20N6S2D | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 Comp N-Ch 600V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGB20N6S2DT | Fairchild Semiconductor | TO-263AB-3 | IGBT 晶体管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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FGB20N6S2T | Fairchild Semiconductor | TO-263AB-3 | IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS II Series | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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FGB30N6S2 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 Sgl 600V Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGB30N6S2D | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 Dl 600V Size 3 N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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