| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TIG111BF | ON Semiconductor | TO-220FI（LS） | IGBT 晶体管 HIGH POWER SWITCHING | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，... | ||||||
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VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductors | MTP | IGBT 晶体管 1200 Volt 12 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20... | ||||||
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VS-GA200SA60SP | Vishay Semiconductors | SOT-227 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 100A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- ... | ||||||
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VS-GA200SA60UP | Vishay Semiconductors | SOT-227 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 100A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- ... | ||||||
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VS-GA400TD60S | Vishay Semiconductors | 双 INT-A-PAK | IGBT 晶体管 600 Volt 400 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在... | ||||||
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VS-GB15XP120KTPBF | Vishay Semiconductors | MTP | IGBT 晶体管 1200 Volt 30 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20... | ||||||
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VS-CPV362M4FPBF | Vishay Semiconductors | IMS-2 | IGBT 晶体管 600 Volt 4.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... | ||||||
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VS-CPV362M4KPBF | Vishay Semiconductors | IMS-2 | IGBT 晶体管 600 Volt 3.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... | ||||||
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VS-CPV362M4UPBF | Vishay Semiconductors | IMS-2 | IGBT 晶体管 600 Volt 3.9 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... | ||||||
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VS-CPV363M4FPBF | Vishay Semiconductors | IMS-2 | IGBT 晶体管 600 Volt 8.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... | ||||||
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VS-CPV363M4KPBF | Vishay Semiconductors | IMS-2 | IGBT 晶体管 600 Volt 6.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大... | ||||||
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VS-CPV363M4UPBF | Vishay Semiconductors | IMS-2 | IGBT 晶体管 600 Volt 6.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大... | ||||||
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VS-CPV364M4FPBF | Vishay | IMS-2 | IGBT 晶体管 600 Volt 15 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... | ||||||
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VS-CPV364M4KPBF | Vishay Semiconductors | IMS-2 | IGBT 晶体管 600 Volt 13 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... | ||||||
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VS-CPV364M4UPBF | Vishay Semiconductors | IMS-2 | IGBT 晶体管 600 Volt 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... | ||||||
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VUB116-16NO1 | Ixys | E2 | IGBT 晶体管 116 Amps 1600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 125 C... | ||||||
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VUB145-16NO1 | Ixys | E2 | IGBT 晶体管 145 Amps 1600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 125 C... | ||||||
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FGY75N60SMD | Fairchild Semiconductor | PowerTO-247-3 | IGBT 晶体管 600V, 75A Field Stop IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.9 V，栅极/发射... | ||||||
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FGS15N40LTF | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC | IGBT 晶体管 N-Ch/400V/130A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGS15N40LTU | Fairchild Semiconductor | SOP-8 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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