| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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STGW39NC60V | STMicroelectronics | TO-247-3 | IGBT 晶体管 40 A - 600 V Very Fast IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGW39NC60VD | STMicroelectronics | TO-247-3 | IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGW40N120KD | STMicroelectronics | TO-247-3 | IGBT 晶体管 40 A - 1200 V SC rugged IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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STGW40NC60KD | STMicroelectronics | TO-247 长引线 | IGBT 晶体管 40A - 600V Short circuit rugged IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGW40NC60V | STMicroelectronics | TO-247-3 | 64 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 50 Amp | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGW40NC60W | STMicroelectronics | TO-247 长引线 | 481 | IGBT 晶体管 600volt 40 Amp | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGW40NC60WD | STMicroelectronics | TO-247-3 | IGBT 晶体管 FAST N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGW45HF60WD | STMicroelectronics | TO-247-3 | IGBT 晶体管 45A 600V Ultra Fast IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—射极饱和电压：1.9 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25... | ||||||
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STGW45HF60WDI | STMicroelectronics | TO-247 长引线 | IGBT 晶体管 45A 600V Ultra Fast IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—射极饱和电压：1.9 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25... | ||||||
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STGW45NC60VD | STMicroelectronics | TO-247 长引线 | IGBT 晶体管 45 A - 600 V Very Fast IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGW45NC60WD | STMicroelectronics | TO-247 长引线 | IGBT 晶体管 PowerMESH IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGW50H60DF | STMicroelectronics | TO-247-3 | IGBT 晶体管 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—射极饱和电压：1.8 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V... | ||||||
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STGW50HF60S | STMicroelectronics | TO-247-3 | 408 | IGBT 晶体管 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGW50HF60SD | STMicroelectronics | TO-247-3 | IGBT 晶体管 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGW50NB60H | STMicroelectronics | TO-247-3 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 50 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，... | ||||||
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STGW50NC60W | STMicroelectronics | TO-247 长引线 | 272 | IGBT 晶体管 Ultra fast series | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGW60H65DF | STMicroelectronics | TO-247-3 | IGBT 晶体管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.... | ||||||
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STGW60H65DRF | STMicroelectronics | TO-247-3 | IGBT 晶体管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.9 V，栅极/发射极最大电压... | ||||||
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STGW60H65F | STMicroelectronics | TO-247-3 | IGBT 晶体管 60A 650V FST IGBT Very High Switching | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—射极饱和电压：1.9 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V... | ||||||
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STGWA19NC60HD | STMicroelectronics | TO-247 长引线 | IGBT 晶体管 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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