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点击查看STGP6NC60HD参考图片 STGP6NC60HD STMicroelectronics TO-220 37 IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
STGP7NB120SD STMicroelectronics TO-220-3 IGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 7 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:否,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极...
STGP7NB60H STMicroelectronics TO-220-3 IGBT 晶体管 RO 511-STGP7NB60K
参数:制造商:STMicroelectronics,RoHS:否,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.3 V,...
点击查看STGP7NB60HD参考图片 STGP7NB60HD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:过渡期间,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,...
STGP7NB60K STMicroelectronics TO-220AB-3 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP7NB60KD参考图片 STGP7NB60KD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP7NC60H参考图片 STGP7NC60H STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 V-FAST POWERMESH
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGP7NC60HD参考图片 STGP7NC60HD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP8NC60K参考图片 STGP8NC60K STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N Ch 600V 0.270 ohm 14A Pwr MOSFET
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGP8NC60KD参考图片 STGP8NC60KD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGPL6NC60D参考图片 STGPL6NC60D STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 600V 6A N-Channel
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGPL6NC60DI参考图片 STGPL6NC60DI STMicroelectronics TO-220FP IGBT 晶体管 600 V - 6 A Hyper fast IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1....
STGW12NB60H STMicroelectronics TO-247-3 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 12 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,RoHS:否,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2 V,栅极...
点击查看STGW19NC60H参考图片 STGW19NC60H STMicroelectronics TO-247-3 8 IGBT 晶体管 19 A 600V FAST IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,包装形式:Tube,...
点击查看STGW19NC60HD参考图片 STGW19NC60HD STMicroelectronics TO-247 长引线 IGBT 晶体管 19 A - 600 V Very fast IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGW19NC60W参考图片 STGW19NC60W STMicroelectronics TO-247 长引线 IGBT 晶体管 19A 600V ULT FS IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGW19NC60WD参考图片 STGW19NC60WD STMicroelectronics TO-247-3 IGBT 晶体管 N Ch 600V 19A
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
STGW20NB60H STMicroelectronics TO-247-3 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 12 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,RoHS:否,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.3 V,...
STGW20NB60HD STMicroelectronics TO-247-3 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 12 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20...
点击查看STGW20NB60KD参考图片 STGW20NB60KD STMicroelectronics TO-247-3 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 20 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...

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