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点击查看STGP19NC60K参考图片 STGP19NC60K STMicroelectronics TO-220-3 IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGP19NC60KD参考图片 STGP19NC60KD STMicroelectronics TO-220 133 IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGP19NC60S参考图片 STGP19NC60S STMicroelectronics TO-220 447 IGBT 晶体管 N-channel 600V 20A - TO-220
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGP19NC60SD参考图片 STGP19NC60SD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-chnl 600V-20A Med Freq
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGP19NC60W参考图片 STGP19NC60W STMicroelectronics TO-220 361 IGBT 晶体管 N-CH 600V Ultra fast PowerMESH
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGP19NC60WD参考图片 STGP19NC60WD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N Ch 600V 19A
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
STGP20NB60H STMicroelectronics TO-220-3 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 20 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.3 V,...
点击查看STGP20NC60V参考图片 STGP20NC60V STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP30NC60K参考图片 STGP30NC60K STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 30 A-600 V Rugged IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGP30NC60S参考图片 STGP30NC60S STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 30A 600V FAST IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGP30NC60W参考图片 STGP30NC60W STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-channel MOSFET
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGP35HF60W参考图片 STGP35HF60W STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 35A Ultrafast IGBT 600V 100kHz
参数:制造商:STMicroelectronics,RoHS:是,包装形式:Tube,...
点击查看STGP35N35LZ参考图片 STGP35N35LZ STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 EAS 450mJ 345V PowerMESH IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,集电极—射极饱和电压:1.7 V,在25 C的连续集电极电流:40 A,...
点击查看STGP3NB60F参考图片 STGP3NB60F STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3.0 A
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP3NB60FD参考图片 STGP3NB60FD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3.0 A
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP3NB60HD参考图片 STGP3NB60HD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 6 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP3NB60K参考图片 STGP3NB60K STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 6 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP3NB60KD参考图片 STGP3NB60KD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 6 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP3NC120HD参考图片 STGP3NC120HD STMicroelectronics TO-220 82 IGBT 晶体管 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,包装形式:Tube,...
点击查看STGP6NC60H参考图片 STGP6NC60H STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N Ch 6A 600V Very Fast Pwr MESH IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...

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