| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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STGF20NB60S | STMicroelectronics | TO-220FP | IGBT 晶体管 N Ch 13A-600V | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGF30NC60S | STMicroelectronics | TO-220FP | IGBT 晶体管 30 A 600V FAST IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.... | ||||||
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STGF35HF60W | STMicroelectronics | TO-220FP | 857 | IGBT 晶体管 35A 600V Ultrafast IGBT over 100kHz OP | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.... | ||||||
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STGF3NC120HD | STMicroelectronics | TO-220FP | IGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 3 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电... | ||||||
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STGF6NC60HD | STMicroelectronics | TO-220FP | 177 | IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGF7NB60SL | STMicroelectronics | TO-220FP | IGBT 晶体管 N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGF7NC60HD | STMicroelectronics | TO-220FP | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGF8NC60KD | STMicroelectronics | TO-220FP | 49 | IGBT 晶体管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGFL6NC60D | STMicroelectronics | TO-220FP | 487 | IGBT 晶体管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGFL6NC60DI | STMicroelectronics | TO-220FP | IGBT 晶体管 6 A 600V HYPER FAST IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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STGFW30NC60V | STMicroelectronics | TO-3PF | 279 | IGBT 晶体管 40 A 600V Very Fast High Freq 50KHz IGBT | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.... | ||||||
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STGFW35HF60W | STMicroelectronics | TO-3PF | 285 | IGBT 晶体管 35A 600V UltraF IGBT Improved Eoff Temp | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压... | ||||||
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STGIPL14K60 | STMicroelectronics | 38-PowerDIP 模块（1.146"，29.10mm） | IGBT 晶体管 Intelligent Pwr Mod 600V 3-Phase IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGIPL20K60 | STMicroelectronics | 38-PowerDIP 模块（1.146"，29.10mm） | IGBT 晶体管 SLLIMM IPM 3-Phase 20A 600V IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.... | ||||||
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STGIPL35K120L1 | STMicroelectronics | 18-PowerDIP 模块（1.087"，27.60mm） | 84 | IGBT 晶体管 single phase 35A short-circuit IGBT | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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STGIPN3H60 | STMicroelectronics | 26-PowerDIP 模块（0.846"，21.48mm） | IGBT 晶体管 SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT Bridge | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.... | ||||||
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STGIPN3H60A | STMicroelectronics | 26-PowerDIP 模块（0.846"，21.48mm） | 274 | IGBT 晶体管 SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.... | ||||||
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STGIPS10K60A | STMicroelectronics | 25-PowerDIP 模块（0.993"，25.23mm） | IGBT 晶体管 IGBT IPM 10A 600 V SDIP25L molded | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—射极饱和电压：2.1 V，在25 C的连续集电极电流：10 A，... | ||||||
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STGIPS10K60T | STMicroelectronics | 25-PowerDIP 模块（0.993"，25.23mm） | IGBT 晶体管 SLLIMM IPM 3-Phase 10A 600V Rugged IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.... | ||||||
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STGIPS14K60 | STMicroelectronics | 25-PowerDIP 模块（0.993"，25.23mm） | IGBT 晶体管 Intelligent Pwr Mod 600V 12A 3Phase IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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