| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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STGD10NC60ST4 | STMicroelectronics | DPAK | 2,406 | IGBT 晶体管 10A-600V fast IGBT | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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STGD14NC60KT4 | STMicroelectronics | DPAK | 1,379 | IGBT 晶体管 N-channel MOSFET | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGD18N40LZ-1 | STMicroelectronics | I-PAK | IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：360 V，栅极/... | ||||||
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STGD18N40LZT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：360 V，栅极/... | ||||||
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STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶体管 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.... | ||||||
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STGD3NB60FT4 | STMicroelectronics | DPAK | 1,946 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3.0 A | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGD3NB60H | STMicroelectronics | DPAK-3 | IGBT 晶体管 N-CH 600V 3A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20... | ||||||
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STGD3NB60MT4 | STMicroelectronics | DPAK-3 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGD3NB60SD-1 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶体管 N Ch 3A 600V | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGD3NB60SDT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGD5NB120SZ-1 | STMicroelectronics | TO-251（IPAK） | IGBT 晶体管 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极... | ||||||
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STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 5 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电... | ||||||
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STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGD6NC60HT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGD7NB120S-1 | STMicroelectronics | TO-251（IPAK） | IGBT 晶体管 N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK POWERMESH IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极... | ||||||
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STGD7NB120ST4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶体管 N-Channel 7A-1200V IPAK PowerMESH IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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STGD7NB60FT4 | STMicroelectronics | DPAK-3 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 v，集电极... | ||||||
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STGD7NB60H | STMicroelectronics | TO-252-3 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGD7NB60KT4 | STMicroelectronics | DPAK | 1,240 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGD7NB60MT4 | STMicroelectronics | TO-252-3 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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