| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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STGB18N40LZ-1 | STMicroelectronics | I2PAK（TO-262） | IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400V IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：360 V，栅极/... | ||||||
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STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 288 | IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：360 V，栅极/... | ||||||
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STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N Ch 600V 19A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGB19NC60KT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 2,833 | IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGB19NC60WT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 2,367 | IGBT 晶体管 19A 6V ULT FAST IGBT | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGB20NB32LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK-3 | IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：2 V，集电极—射极饱和电压：1.1 V，栅极... | ||||||
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STGB20NB37LZ | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-Channel 20 Amp IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：375 V，栅极/... | ||||||
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STGB20NB37LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：20 V，集电极—... | ||||||
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STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：过渡期间，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：20 V，集... | ||||||
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STGB20NC60V | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 30 A 600V FAST IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGB20NC60VT4 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 30 A 600V FAST IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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STGB30NC60KT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 2,932 | IGBT 晶体管 31 A-600 V Rugged IGBT | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGB30NC60WT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 865 | IGBT 晶体管 3A 6V ULT FAST IGBT | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGB35N35LZ-1 | STMicroelectronics | I2PAK（TO-262） | 951 | IGBT 晶体管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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STGB35N35LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 EAS 350 mJ 350 V Int clamped IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：345 V，集电极—射极饱和电压：1.... | ||||||
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STGB3NB60FDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3.0 A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGB3NB60KDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 6 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGB3NB60MDT4 | STMicroelectronics | D2PAK-3 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGB3NB60SDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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