| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SGW30N60HS | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGW40N60UFTM | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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SGW50N60HS | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGW5N60RUFDTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGW5N60RUFTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶体管 600V/5A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGW6N60UFDTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶体管 600V/3A/W/FRD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGW6N60UFTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SG6N60UFPWD | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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SIGC158T120R3L | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IGBT | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，... | ||||||
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SIGC156T60NR2C | Infineon Technologies | Die | IGBT 晶体管 IGBT CHIP IN NPT TECHNOLOGY | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SKA06N60 | Infineon Technologies | TO-220FP-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 5A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SKB02N120 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SKB02N60 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SKB02N60 E3266 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 Fast IGBT NPT Soft anti-parallel EmCon | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SKB02N60E3266ATMA1 SKB02N60E3266XT SP0000124... | ||||||
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SKB04N60 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SKB06N60 | Infineon Technologies | TO-220-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SKB06N60HS | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 6A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SKB10N60 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SKB10N60A | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SKB15N60 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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