| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SGU2N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | IPAK-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
SGU2N60UFTU | Fairchild Semiconductor | IPAK-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
SGU6N60UFTU | Fairchild Semiconductor | IPAK-3 | IGBT 晶体管 6A/600V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
SGW10N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
SGW10N60A | Infineon Technologies | TO-247-3 | 197 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
SGW10N60RUFDTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V/10A/W/FRD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
|
|
SGW10N60RUFTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶体管 600V/10A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
SGW13N60UFDTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
|
SGW13N60UFTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
SGW15N120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
SGW15N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 259 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 15A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
SGW15N60RUFTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶体管 600V/15A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
SGW20N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
SGW20N60HS | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
SGW20N60RUFTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶体管 600V/ 20A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
SGW23N60UFDTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V/ 12A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
|
|
SGW23N60UFTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶体管 600V/12A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
SGW25N120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 388 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
SGW25N120E8161 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
SGW30N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 196 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
22/234 首页 上页 [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] 下页 尾页
