| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FGF65A4L | Sanken | TO-3PF | FIELD STOP IGBT WITH FRD 650V/40 | ||
| 参数：Sanken|散装|-|在售|沟槽型场截止|650 V|65 A|120 A|1.96V @ 15V，40A|72 W|900μJ（开），900μJ（关）|标准... | ||||||
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FGM633 | Sanken | TO-3PF | IGBT 600V/18A/VCE1.5V | ||
| 参数：Sanken|散装|-|在售|沟道|600 V|30 A|100 A|1.7V @ 15V，30A|60 W|-|标准|65 nC|100ns/300ns|30... | ||||||
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MGF65A4L | Sanken | TO3P-3L | FIELD STOP IGBT WITH FRD 650V/40 | ||
| 参数：Sanken|散装|-|在售|沟槽型场截止|650 V|65 A|120 A|1.96V @ 15V，40A|288 W|900μJ（开），900μJ（关）|标... | ||||||
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KGF65A3H | Sanken | TO-247-3 | FIELD STOP IGBT WITH FRD 650V/30 | ||
| 参数：Sanken|管件|-|在售|沟槽型场截止|650 V|50 A|90 A|2.73V @ 15V，30A|217 W|500μJ（开），400μJ（关）|标准... | ||||||
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DGG4015 | Sanken | TO-252 | IGBT WITH GATE PROTECTION DIODE | ||
| 参数：Sanken|卷带（TR）|-|在售|-|425 V|15 A|-|1.7V @ 10V，10A|55 W|-|标准|-|-|-|-|150°C（TJ）|表面贴... | ||||||
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FGF65A4H | Sanken | TO-3PF | FIELD STOP IGBT WITH FRD 650V/40 | ||
| 参数：Sanken|散装|-|在售|沟槽型场截止|650 V|65 A|120 A|2.37V @ 15V，40A|72 W|700μJ（开），600μJ（关）|标准... | ||||||
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KGF65A6H | Sanken | TO-247-3 | FIELD STOP IGBT WITH FRD 650V/60 | ||
| 参数：Sanken|管件|-|在售|沟槽型场截止|650 V|80 A|100 A|2.37V @ 15V，60A|405 W|1.4mJ（开），1.3mJ（关）|标... | ||||||
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DGG4015A | Sanken | TO-252 | IGBT WITH GATE PROTECTION DIODE | ||
| 参数：Sanken|卷带（TR）|-|在售|-|425 V|15 A|-|1.7V @ 10V，10A|55 W|-|标准|-|-|-|-|150°C（TJ）|表面贴... | ||||||
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KGF65A3L | Sanken | TO247-3L | FIELD STOP IGBT WITH FRD 650V/30 | ||
| 参数：Sanken|管件|-|在售|沟槽型场截止|650 V|50 A|90 A|1.96V @ 15V，30A|217 W|600μJ（开），600μJ（关）|标准... | ||||||
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MGD622 | Sanken | TO3P-3L | IGBT WITH FRD 600V/20A/VCE2.1V | ||
| 参数：Sanken|散装|-|在售|沟道|600 V|40 A|60 A|2.7V @ 15V，40A|90 W|-|标准|40 nC|50ns/200ns|300V... | ||||||
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MGF65A4H | Sanken | TO-3P | FIELD STOP IGBT WITH FRD 650V/40 | ||
| 参数：Sanken|散装|-|在售|沟槽型场截止|650 V|65 A|120 A|2.37V @ 15V，40A|288 W|700μJ（开），600μJ（关）|标... | ||||||
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MGF65A3H | Sanken | TO3P-3L | FIELD STOP IGBT WITH FRD 650V/30 | ||
| 参数：Sanken|散装|-|在售|沟槽型场截止|650 V|50 A|90 A|2.73V @ 15V，30A|217 W|500μJ（开），400μJ（关）|标准... | ||||||
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MGF65A6L | Sanken | TO3P-3L | FIELD STOP IGBT WITH FRD 650V/60 | ||
| 参数：Sanken|散装|-|在售|沟槽型场截止|650 V|80 A|180 A|1.96V @ 15V，60A|405 W|1.7mJ（开），1.4mJ（关）|标... | ||||||
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VS-GT180DA120U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SOT-227 | 68 | IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 | |
| 参数：Vishay General Semiconductor - Diodes Division|管件|HEXFRED?|在售|沟槽型场截止|单路|1200 V|2... | ||||||
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FF150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | 模块 | 68 | IGBT MOD 1200V 150A 790W | |
| 参数：Infineon Technologies|托盘|C|在售|沟槽型场截止|半桥|1200 V|150 A|790 W|2.15V @ 15V，150A|1 mA... | ||||||
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FZ400R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 模块 | 15 | IGBT MOD 1200V 400A 2400W | |
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|在售|沟槽型场截止|单路|1200 V|400 A|2400 W|2.1V @ 15V，400A|5 mA... | ||||||
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FZ600R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 模块 | 41 | IGBT MOD 1200V 600A 3000W | |
| 参数：Infineon Technologies|托盘|C|在售|-|单路|1200 V|600 A|3000 W|2.1V @ 15V，600A|5 mA|1.7 ... | ||||||
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FZ600R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 模块 | 37 | IGBT MOD 1700V 1200A 3350W | |
| 参数：Infineon Technologies|托盘|C|在售|沟槽型场截止|单路|1700 V|1200 A|3350 W|2.3V @ 15V，600A|1 m... | ||||||
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F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | AG-EASY1B | 95 | MODULE IGBT 1200V EASY1B-2 | |
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|在售|-|半桥|1200 V|45 A|215 W|2.25V @ 15V，25A|1 mA|1.45 n... | ||||||
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FF50R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | 模块 | 123 | IGBT MOD 1200V 50A 285W | |
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|在售|沟槽型场截止|半桥|1200 V|50 A|285 W|2.15V @ 15V，50A|1 mA|2... | ||||||
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