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点击查看NGTB25N120FL2WAG参考图片 NGTB25N120FL2WAG onsemi TO-247-4L IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
参数:onsemi|管件|-|停产|场截止|1200 V|100 A|100 A|2.4V @ 15V,25A|385 W|990μJ(开),660μJ(关)|标准|...
点击查看NGTB40N120FL2WAG参考图片 NGTB40N120FL2WAG onsemi TO-247-4L IGBT FIELD STOP 1200V 160A TO247
参数:onsemi|管件|-|停产|场截止|1200 V|160 A|160 A|2.4V @ 15V,40A|536 W|1.7mJ(开),1.1mJ(关)|标准|...
点击查看NGTB40N65IHRWG参考图片 NGTB40N65IHRWG onsemi TO-247-3 IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247
参数:onsemi|管件|-|停产|场截止|650 V|80 A|160 A|1.7V @ 15V,40A|405 W|420μJ(关)|标准|190 nC|-|40...
点击查看NGTB50N65FL2WAG参考图片 NGTB50N65FL2WAG onsemi TO-247-4L IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247
参数:onsemi|管件|-|停产|场截止|650 V|160 A|160 A|2V @ 15V,50A|417 W|420μJ(开),550μJ(关)|标准|215...
点击查看NGTB50N65S1WG参考图片 NGTB50N65S1WG onsemi TO-247-3 IGBT TRENCH 650V 140A TO247
参数:onsemi|管件|-|停产|沟道|650 V|140 A|140 A|2.45V @ 15V,50A|300 W|1.25mJ(开),530μJ(关)|标准|...
点击查看NGTB75N65FL2WAG参考图片 NGTB75N65FL2WAG onsemi TO-247-4L IGBT FIELD STOP 650V 200A TO247
参数:onsemi|管件|-|停产|场截止|650 V|200 A|200 A|2V @ 15V,75A|536 W|610μJ(开),1.2mJ(关)|标准|310...
点击查看STGB3HF60HD参考图片 STGB3HF60HD STMicroelectronics D2PAK IGBT 600V 7.5A D2PAK
参数:STMicroelectronics|卷带(TR)|-|停产|-|600 V|7.5 A|18 A|2.95V @ 15V,1.5A|38 W|19μJ(开),...
STGD3NC120H-1 STMicroelectronics IPAK(TO-251) IGBT 1200V 16A IPAK
参数:STMicroelectronics|管件|-|停产|-|1200 V|16 A|20 A|2.8V @ 15V,3A|105 W|236μJ(开),290μJ...
STGF3HF60HD STMicroelectronics TO-220FP IGBT 600V 7.5A TO220FP
参数:STMicroelectronics|管件|-|停产|-|600 V|7.5 A|18 A|2.95V @ 15V,1.5A|18 W|19μJ(开),12μJ...
点击查看STGWA40H60DLFB参考图片 STGWA40H60DLFB STMicroelectronics TO-247 长引线 IGBT TRENCH 600V 40A TO247
参数:STMicroelectronics|管件|HB|在售|沟槽型场截止|600 V|40 A|-|2V @ 7V,40A|283 W|-|标准|-|-|-|-|1...
IXYH12N250C IXYS TO-247AD IGBT 2500V 28A TO247AD
参数:IXYS|管件|XPT?|在售|-|2500 V|28 A|80 A|4.5V @ 15V,12A|310 W|3.56mJ(开),1.7mJ(关)|标准|56...
IXYH16N250C IXYS TO-247AD IGBT 2500V 35A TO247AD
参数:IXYS|管件|XPT?|在售|-|2500 V|35 A|126 A|4V @ 15V,16A|500 W|4.75mJ(开),3.9mJ(关)|标准|97 ...
IXYH8N250C IXYS TO-247AD IGBT 2500V 29A TO247AD
参数:IXYS|管件|XPT?|在售|-|2500 V|29 A|70 A|4V @ 15V,8A|280 W|2.6mJ(开),1.07mJ(关)|标准|45 nC...
点击查看AIHD03N60RFATMA1参考图片 AIHD03N60RFATMA1 Infineon Technologies PG-TO252-3-313 IC DISCRETE 600V TO252-3
参数:Infineon Technologies|卷带(TR)|-|Digi-Key 停止提供|沟槽型场截止|600 V|5 A|7.5 A|2.5V @ 15V,2...
点击查看AIHD04N60RATMA1参考图片 AIHD04N60RATMA1 Infineon Technologies PG-TO252-3 IC DISCRETE 600V TO252-3
参数:Infineon Technologies|卷带(TR)|-|在售|沟槽型场截止|600 V|8 A|12 A|2.1V @ 15V,4A|75 W|90μJ(...
点击查看AIHD04N60RFATMA1参考图片 AIHD04N60RFATMA1 Infineon Technologies PG-TO252-3-313 IC DISCRETE 600V TO252-3
参数:Infineon Technologies|卷带(TR)|-|在售|沟槽型场截止|600 V|8 A|12 A|2.5V @ 15V,4A|75 W|60μJ(...
点击查看AIHD06N60RATMA1参考图片 AIHD06N60RATMA1 Infineon Technologies PG-TO252-3-313 IC DISCRETE 600V TO252-3
参数:Infineon Technologies|卷带(TR)|-|在售|沟槽型场截止|600 V|12 A|18 A|2.1V @ 15V,6A|100 W|110...
点击查看AIHD06N60RFATMA1参考图片 AIHD06N60RFATMA1 Infineon Technologies PG-TO252-3-313 IC DISCRETE 600V TO252-3
参数:Infineon Technologies|卷带(TR)|-|在售|沟槽型场截止|600 V|12 A|18 A|2.5V @ 15V,6A|100 W|90μ...
点击查看AIHD10N60RATMA1参考图片 AIHD10N60RATMA1 Infineon Technologies PG-TO252-3-313 IC DISCRETE 600V TO252-3
参数:Infineon Technologies|卷带(TR)|-|停产|沟槽型场截止|600 V|20 A|30 A|2.1V @ 15V,10A|150 W|21...
点击查看AIHD10N60RFATMA1参考图片 AIHD10N60RFATMA1 Infineon Technologies PG-TO252-3-313 IC DISCRETE 600V TO252-3
参数:Infineon Technologies|卷带(TR)|-|在售|沟槽型场截止|600 V|20 A|30 A|2.5V @ 15V,10A|150 W|19...

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