| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSM150GAL120DLC | Infineon Technologies | IS6a ( 62 mm )-5 | IGBT 晶体管 1200V 150A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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BSM300GA120DN2SE3256 | Infineon Technologies | IS6a ( 62 mm ) | IGBT 晶体管 1200V 300A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，集电极—射极饱和电压：2.5 V，功率耗散：2500 W，封装形式：IS6a ( 62 mm... | ||||||
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BSM75GAR120DN2 | Infineon Technologies | IS4 (34 mm )-5 | 5 | IGBT 晶体管 1200V 100A GAR CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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BUL128DFP | STMicroelectronics | IGBT 晶体管 HIGH VOLTAGE NPN POWER | |||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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BUP212 | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 IGBT 2200V, 22A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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BUP212 E3045A | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度... | ||||||
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BUP213 | Infineon Technologies | TO-220AB | IGBT 晶体管 IGBT CHIP NPT TECH 1200V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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BUP213 E3045A | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度... | ||||||
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BUP311D | Infineon Technologies | TO-218AB-3 | IGBT 晶体管 1200V, 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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BUP313 | Infineon Technologies | TO-218-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT 1200V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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BUP313D | Infineon Technologies | TO-218-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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BUP314 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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BUP314D | Infineon Technologies | TO-218-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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2SC0435T2A0-17 | Infineon Technologies | 12 | IGBT 晶体管 IGBT DRIVER 153.41 | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，... | ||||||
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50MT060ULSTAPBF | Vishay Semiconductors | MTP-14 | IGBT 晶体管 600 Volt 100 Amp Low Side Chopper | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- ... | ||||||
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SGR2N60UFDTF | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGR2N60UFDTM | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGR2N60UFTF | Fairchild Semiconductor | DPAK-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGR2N60UFTM | Fairchild Semiconductor | DPAK-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGL50N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | IGBT 晶体管 N-CH 600V 50A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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