| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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NGB8207BNT4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：365 V，栅极/发射极最大电压：15 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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NGD15N41ACLT4G | ON Semiconductor | TO-252，（D-Pak） | IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 15 A, 410 V | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，包装形式：Reel，... | ||||||
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NGD15N41CLT4 | ON Semiconductor | DPAK | IGBT 晶体管 15A 410V Ignition | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，最大工作温度：+ 175 C，封装形式：TO-252-3，包装形式：Reel... | ||||||
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NGD15N41CLT4G | ON Semiconductor | TO-252，（D-Pak） | IGBT 晶体管 15A 410V Ignition | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：440 VDC，栅极/... | ||||||
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NGD18N40ACLBT4G | ON Semiconductor | TO-252，（D-Pak） | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：430 V，栅极/发射极最大电压：18 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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NGD18N40CLBT4G | ON Semiconductor | TO-252，（D-Pak） | IGBT 晶体管 18A 400V Ignition N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，栅极/发射极最大电压：18 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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NGD8201ANT4G | ON Semiconductor | TO-252，（D-Pak） | IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：440 V，集电极—射... | ||||||
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NGD8205ANT4G | ON Semiconductor | TO-252，（D-Pak） | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：390 V，栅极/发射极最大电压：15 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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NTTFSC4821NTAG | ON Semiconductor | 8-WDFN（3.3x3.3） | IGBT 晶体管 NFETU8FL 30V 57A 10.8M Ohm | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：否，包装形式：Reel，... | ||||||
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NTTFSC4823NTAG | ON Semiconductor | 8-WDFN（3.3x3.3） | IGBT 晶体管 NFETU8FL 30V 50A 17.5MOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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NTLUS3A40PZTAG | ON Semiconductor | 6-UDFN 裸露焊盘 | 24,000 | IGBT 晶体管 T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，配置：1，功率耗散：1.7 W，最大工作温度：+ 150 C，封装形式：UDFN-6，包装形式：Reel... | ||||||
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NTLUS3A40PZTBG | ON Semiconductor | 6-UDFN 裸露焊盘 | IGBT 晶体管 T4 20/8 PCH UDFN SING | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，配置：1，功率耗散：1.7 W，最大工作温度：+ 150 C，封装形式：UDFN-6，包装形式：Reel... | ||||||
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NTLUS3A90PZTAG | ON Semiconductor | 6-PowerUFDFN | 1,190 | IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 3A 60 MO | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，配置：1，功率耗散：1.5 W，最大工作温度：+ 150 C，封装形式：UDFN-6，包装形式：Reel... | ||||||
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NTLUS3A90PZTBG | ON Semiconductor | 6-UDFN（1.6x1.6） | IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 3A 60 MO | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，配置：1，功率耗散：1.5 W，最大工作温度：+ 150 C，封装形式：UDFN-6，包装形式：Reel... | ||||||
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NTMFS4899NFT1G | ON Semiconductor | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） | IGBT 晶体管 NFET SO8FL 30V 75A 5MOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：否，配置：1，功率耗散：2.7 W，最大工作温度：+ 150 C，封装形式：SO-8，包装形式：Reel，最... | ||||||
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NTMFS4899NFT3G | ON Semiconductor | SO-8 | IGBT 晶体管 NFET SO8FL 30V 75A 5MOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：否，配置：1，功率耗散：2.7 W，最大工作温度：+ 150 C，封装形式：SO-8，包装形式：Reel，最... | ||||||
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NTLUD3A260PZTAG | ON Semiconductor | 6-UDFN（1.6x1.6） | 3,000 | IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，配置：2，功率耗散：0.8 W，最大工作温度：+ 150 C，封装形式：UDFN-6，包装形式：Reel... | ||||||
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NTLUD3A260PZTBG | ON Semiconductor | 6-UDFN（1.6x1.6） | IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，配置：2，功率耗散：0.8 W，最大工作温度：+ 150 C，封装形式：UDFN-6，包装形式：Reel... | ||||||
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NTMFS5834NLT1G | ON Semiconductor | 8-PowerTDFN，5 引线 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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73389 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：800，零件号别名：73389_NL，... | ||||||
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