图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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RFCS04025000DBTT1 | Vishay/Electro-Films | 0402(1005 公制) | 硅电容器 0.5pF +/-0.1pF High Q, RF | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:是,电容:0.5 pF,容差:0.1 pF,电压额定值:50 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范... | ||||||
RFCS04025600CJTT1 | Vishay/Electro-Films | 0402(1005 公制) | 硅电容器 5.6pF 5% High Q, RF | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:是,电容:5.6 pF,容差:5 %,电压额定值:25 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范围:-... | ||||||
RFCS04026000DBTT1 | Vishay/Electro-Films | 0402(1005 公制) | 硅电容器 0.6pF +/-0.1pF High Q, RF | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:是,电容:0.6 pF,容差:0.1 pF,电压额定值:50 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范... | ||||||
RFCS04026800CJTT1 | Vishay/Electro-Films | 0402(1005 公制) | 硅电容器 6.8pF 5% High Q, RF | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:是,电容:6.8 pF,容差:5 %,电压额定值:25 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范围:-... | ||||||
RFCS04027000DBTT1 | Vishay/Electro-Films | 0402(1005 公制) | 硅电容器 0.7pF +/-0.1pF High Q, RF | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:是,电容:0.7 pF,容差:0.1 pF,电压额定值:50 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范... | ||||||
RFCS04028000DBTT1 | Vishay/Electro-Films | 0402(1005 公制) | 硅电容器 0.8pF +/-0.1pF High Q, RF | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:是,电容:0.8 pF,容差:0.1 pF,电压额定值:50 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范... | ||||||
RFCS04028200CJTT1 | Vishay/Electro-Films | 0402(1005 公制) | 硅电容器 8.2pF 5% High Q, RF | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:是,电容:8.2 pF,容差:5 %,电压额定值:25 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范围:-... | ||||||
RFCS04029000DBTT1 | Vishay/Electro-Films | 0402(1005 公制) | 硅电容器 0.9pF +/-0.1pF High Q, RF | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:是,电容:0.9 pF,容差:0.1 pF,电压额定值:50 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范... | ||||||
MA4M3050 | M/A-COM Technology Solutions | 非标准型芯片 | 200 | 硅电容器 50pF Max Stdoff V200 -55C +200C | ||
参数:制造商:M/A-COM Technology Solutions,RoHS:是,包装形式:Bulk,... | ||||||
MA4M3100 | M/A-COM Technology Solutions | 非标准型芯片 | 400 | 硅电容器 | ||
参数:制造商:M/A-COM Technology Solutions,... | ||||||
HPC0201A0R7BXZT1 | Vishay/Sprague | 硅电容器 10V 0.7pF .1pF Tol | ||||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:否,包装形式:Reel,产品:Silicon Capacitors,工厂包装数量:1000,... | ||||||
HPC0603A0R2AXMT1 | Vishay | 0603 (1608 metric) | 硅电容器 0.2pF 50V +/-0.05pF | |||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:0.2 pF,容差:0.05 pF,电压额定值:50 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范围:- 55 C ... | ||||||
HPC0603A0R3AXMT1 | Vishay | 0603 (1608 metric) | 硅电容器 0.3pF 50V +/-0.05pF | |||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:0.3 pF,容差:0.05 pF,电压额定值:50 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范围:- 55 C ... | ||||||
HPC0603A0R4BXMT1 | Vishay | 0603 (1608 metric) | 硅电容器 0.4pF 50V +/-0.1pF | |||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:0.4 pF,容差:0.1 pF,电压额定值:50 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范围:- 55 C t... | ||||||
HPC0603A0R5BXMT1 | Vishay | 0603 (1608 metric) | 硅电容器 0.5pF 50V +/-0.1pF | |||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:0.5 pF,容差:0.1 pF,电压额定值:50 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范围:- 55 C t... | ||||||
HPC0603A0R8AWMT1 | Vishay | 0603 (1608 metric) | 硅电容器 (R) .8PF 50V.05PF | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:是,电容:0.8 pF,容差:0.05 pF,电压额定值:50 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度... | ||||||
HPC0603A0R8AXMT1 | Vishay | 0603 (1608 metric) | 硅电容器 0.8pF 50V +/-0.05pF | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:否,电容:0.8 pF,容差:0.05 pF,电压额定值:50 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度... | ||||||
HPC0603A100FXMT1 | Vishay | 0603 (1608 metric) | 硅电容器 10pF 50V 1% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:否,电容:10 pF,容差:1 %,电压额定值:50 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范围:- ... | ||||||
HPC0603A101FWYT1 | Vishay | 0603 (1608 metric) | 硅电容器 (R) 100PF 16V 1% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:是,电容:100 pF,容差:1 %,电压额定值:16 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范围:-... | ||||||
HPC0603A101GWYT1 | Vishay | 0603 (1608 metric) | 硅电容器 100pF 16volts 2% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:硅电容器,RoHS:是,电容:100 pF,容差:2 %,电压额定值:16 V,温度系数:30 PPM / C,工作温度范围:-... |
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