| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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SC06801518 |
Skyworks Solutions, Inc.
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非标准型芯片 |
26,600 |
硅电容器 68pF + / - 20% .015 pad .018 chip |
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| 参数：制造商：Skyworks，RoHS：是，包装形式：Waffle，... |
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SC33303440 |
Skyworks Solutions, Inc.
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非标准型芯片 |
1 |
硅电容器 333pF + / - 20% .034 pad .040 chip |
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| 参数：制造商：Skyworks，RoHS：是，包装形式：Waffle，... |
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RFCS04021000BJTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 10pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：10 pF，容差：5 %，电压额定值：25 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：- ... |
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RFCS04021000CBTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 1pF +/-0.1pF High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：1 pF，容差：0.1 pF，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：... |
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RFCS04021200BJTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 12pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：12 pF，容差：5 %，电压额定值：16 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：- ... |
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RFCS04021200CBTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 1.2pF +/-0.1pF High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：1.2 pF，容差：0.1 pF，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范... |
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RFCS04021500BJTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 15pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：15 pF，容差：5 %，电压额定值：16 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：- ... |
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RFCS04021500CBTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 1.5pF +/-0.1pF High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：1.5 pF，容差：0.1 pF，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范... |
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RFCS04021800BJTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 18pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：18 pF，容差：5 %，电压额定值：16 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：- ... |
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RFCS04021800CBTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 1.8pF +/-0.1pF High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：1.8 pF，容差：0.1 pF，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范... |
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RFCS04022000DBTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 0.2pF +/-0.1pF High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：0.2 pF，容差：0.1 pF，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范... |
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RFCS04022200BJTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 22pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：22 pF，容差：5 %，电压额定值：10 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：- ... |
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RFCS04022200CJTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 2.2pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：2.2 pF，容差：5 %，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：-... |
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RFCS04022700BJTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 27pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：27 pF，容差：5 %，电压额定值：10 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：- ... |
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RFCS04022700CJTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
|
硅电容器 2.7pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：2.7 pF，容差：5 %，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：-... |
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RFCS04023000DBTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 0.3pF +/-0.1pF High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：0.3 pF，容差：0.1 pF，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范... |
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RFCS04023300CJTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 3.3pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：3.3 pF，容差：5 %，电压额定值：25 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：-... |
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RFCS04023900CJTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 3.9pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：3.9 pF，容差：5 %，电压额定值：25 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：-... |
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RFCS04024000DBTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 0.4pF +/-0.1pF High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：0.4 pF，容差：0.1 pF，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范... |
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RFCS04024700CJTT1 |
Vishay/Electro-Films
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0402（1005 公制） |
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硅电容器 4.7pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：4.7 pF，容差：5 %，电压额定值：25 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：-... |
