| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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935133427710-T3N |
IPDiA
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1206 |
95 |
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 1206 1uF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 C，... |
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935133429733-T1N |
IPDiA
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1812 |
100 |
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
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935133429733-T3N |
IPDiA
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1812 |
|
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
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935133723510-T1N |
IPDiA
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0201 |
100 |
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250... |
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935133723510-T3N |
IPDiA
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0201 |
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硅电容器 XremeTemp SiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250... |
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935133724547-T1N |
IPDiA
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0402 |
100 |
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 25... |
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935133724547-T3N |
IPDiA
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0402 |
|
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 25... |
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935142620510-T1O |
IPDiA
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0303 |
99 |
硅电容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：50 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C... |
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935142620510-T3A |
IPDiA
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0303 |
99 |
硅电容器 WireBoundSiliconCap 0303 10nF BD 50V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：25 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C... |
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935142620510-T3O |
IPDiA
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0303 |
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硅电容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：50 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C... |
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935142624522-T3A |
IPDiA
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0504 |
99 |
硅电容器 WireBoundSiliconCap 0504 22nF BD 50V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：25 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935144620510-T1O |
IPDiA
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0303 |
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硅电容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：50 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 200... |
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935144620510-T3O |
IPDiA
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0303 |
1000 |
硅电容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：50 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 200... |
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935145620510-T1O |
IPDiA
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0303 |
100 |
硅电容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：50 V，温度系数：2 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 C... |
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935145620510-T3O |
IPDiA
|
0303 |
|
硅电容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：50 V，温度系数：2 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 C... |
