图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TSHA6200 | Vishay Semiconductors | 径向 | 967 | 红外发射源 5V 22mW 875nm 12 Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:500 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSHA6201 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 5V 23mW 875nm 12 Deg | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:600 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSHA6202 | Vishay Semiconductors | 径向 | 3,502 | 红外发射源 5V 24mW 875nm 12 Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:700 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSHA6203 | Vishay Semiconductors | 径向 | 3,981 | 红外发射源 5V 25mW 875nm 12 Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:800 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSHA6500 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 5V 22mW 875nm 24 Deg | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:240 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSHA6501 | Vishay Semiconductors | T-1 3/4 | 红外发射源 5V 23mW 875nm 24 Deg | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:300 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSHA6502 | Vishay Semiconductors | T-1 3/4 | 红外发射源 5V 24mW 875nm 24 Deg | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:360 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSHA6503 | Vishay Semiconductors | T-1 3/4 | 红外发射源 5V 25mW 875nm 24 deg | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:420 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSHF5210 | Vishay Semiconductors | 径向,5mm 直径(T 1 3/4) | 72,516 | 红外发射源 High Speed Emitter 5V 50mW 870nm 24 Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:890 nm,辐射强度:1400 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40... | ||||||
TSHF5410 | Vishay Semiconductors | 径向,5mm 直径(T 1 3/4) | 红外发射源 22 Degree 180mW 5V | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:890 nm,辐射强度:650 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 ... | ||||||
TSHF6410 | Vishay | 径向 | 红外发射源 22 Degree 160mW 5V | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:890 nm,辐射强度:70 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 C... | ||||||
TSHG5210 | Vishay | 径向 | 21,736 | 红外发射源 High Speed Emitter 5V 55mW 850nm 18 Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:850 nm,辐射强度:230 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 ... | ||||||
TSHG5410 | Vishay | 径向 | 3,976 | 红外发射源 High Speed Emitter 5V 55mW 850nm 18 Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:850 nm,辐射强度:90 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 C... | ||||||
TSHG5510 | Vishay Semiconductors | 径向 | 114 | 红外发射源 High Speed Emitter 5V 180mW 830nm 38Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:830 nm,辐射强度:32 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 C... | ||||||
TSHG6200 | Vishay Semiconductors | 径向,5mm 直径(T 1 3/4) | 10,555 | 红外发射源 High Speed Emitter 5V 50mW 850nm 10 Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:850 nm,辐射强度:1600 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40... | ||||||
TSHG6210 | Vishay | 径向 | 22,183 | 红外发射源 High Speed Emitter 5V 55mW 850nm 10 Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:850 nm,辐射强度:230 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 ... | ||||||
TSHG6400 | Vishay Semiconductors | 径向,5mm 直径(T 1 3/4) | 4,052 | 红外发射源 High Speed Emitter 5V 50mW 850nm 22 Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:850 nm,辐射强度:700 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 ... | ||||||
TSHG6410 | Vishay | 径向 | 18,095 | 红外发射源 High Speed Emitter 5V 55mW 850nm 18 Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:850 nm,辐射强度:90 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 C... | ||||||
TSHG8200 | Vishay Semiconductors | 径向,5mm 直径(T 1 3/4) | 22,205 | 红外发射源 High Speed Emitter 5V 50mW 830nm 10 Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:830 nm,辐射强度:1600 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40... | ||||||
TSHG8400 | Vishay Semiconductors | 径向,5mm 直径(T 1 3/4) | 11,256 | 红外发射源 High Speed Emitter 5V 50mW 830nm 22 Deg | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:830 nm,射束角:22 deg,辐射强度:70 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小... |
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