| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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TSHA6200 |
Vishay Semiconductors
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径向 |
967 |
红外发射源 5V 22mW 875nm 12 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:500 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... |
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TSHA6201 |
Vishay Semiconductors
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径向 |
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红外发射源 5V 23mW 875nm 12 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:600 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... |
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TSHA6202 |
Vishay Semiconductors
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径向 |
3,502 |
红外发射源 5V 24mW 875nm 12 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:700 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... |
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TSHA6203 |
Vishay Semiconductors
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径向 |
3,981 |
红外发射源 5V 25mW 875nm 12 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:800 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... |
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TSHA6500 |
Vishay Semiconductors
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径向 |
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红外发射源 5V 22mW 875nm 24 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:240 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... |
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TSHA6501 |
Vishay Semiconductors
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T-1 3/4 |
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红外发射源 5V 23mW 875nm 24 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:300 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... |
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TSHA6502 |
Vishay Semiconductors
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T-1 3/4 |
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红外发射源 5V 24mW 875nm 24 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:360 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... |
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TSHA6503 |
Vishay Semiconductors
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T-1 3/4 |
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红外发射源 5V 25mW 875nm 24 deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:875 nm,辐射强度:420 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... |
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TSHF5210 |
Vishay Semiconductors
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径向,5mm 直径(T 1 3/4) |
72,516 |
红外发射源 High Speed Emitter 5V 50mW 870nm 24 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:890 nm,辐射强度:1400 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40... |
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TSHF5410 |
Vishay Semiconductors
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径向,5mm 直径(T 1 3/4) |
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红外发射源 22 Degree 180mW 5V |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:890 nm,辐射强度:650 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 ... |
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TSHF6410 |
Vishay
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径向 |
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红外发射源 22 Degree 160mW 5V |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:890 nm,辐射强度:70 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 C... |
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TSHG5210 |
Vishay
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径向 |
21,736 |
红外发射源 High Speed Emitter 5V 55mW 850nm 18 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:850 nm,辐射强度:230 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 ... |
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TSHG5410 |
Vishay
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径向 |
3,976 |
红外发射源 High Speed Emitter 5V 55mW 850nm 18 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:850 nm,辐射强度:90 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 C... |
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TSHG5510 |
Vishay Semiconductors
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径向 |
114 |
红外发射源 High Speed Emitter 5V 180mW 830nm 38Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:830 nm,辐射强度:32 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 C... |
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TSHG6200 |
Vishay Semiconductors
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径向,5mm 直径(T 1 3/4) |
10,555 |
红外发射源 High Speed Emitter 5V 50mW 850nm 10 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:850 nm,辐射强度:1600 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40... |
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TSHG6210 |
Vishay
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径向 |
22,183 |
红外发射源 High Speed Emitter 5V 55mW 850nm 10 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:850 nm,辐射强度:230 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 ... |
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TSHG6400 |
Vishay Semiconductors
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径向,5mm 直径(T 1 3/4) |
4,052 |
红外发射源 High Speed Emitter 5V 50mW 850nm 22 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:850 nm,辐射强度:700 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 ... |
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TSHG6410 |
Vishay
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径向 |
18,095 |
红外发射源 High Speed Emitter 5V 55mW 850nm 18 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:850 nm,辐射强度:90 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40 C... |
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TSHG8200 |
Vishay Semiconductors
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径向,5mm 直径(T 1 3/4) |
22,205 |
红外发射源 High Speed Emitter 5V 50mW 830nm 10 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:830 nm,辐射强度:1600 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 40... |
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TSHG8400 |
Vishay Semiconductors
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径向,5mm 直径(T 1 3/4) |
11,256 |
红外发射源 High Speed Emitter 5V 50mW 830nm 22 Deg |
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| 参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:830 nm,射束角:22 deg,辐射强度:70 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小... |