| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TCET1104G | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 160-320% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1105 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1105G | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 50-150% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1106 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 3,710 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1106G | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 3,935 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 100-300% | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1107 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 7,486 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1107G | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 80-160% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1108 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 12 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1108G | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 130-260% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1109 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>200-400% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1109G | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 1,899 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 200-400% | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1110 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 50-600% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1110G | Vishay Semiconductors | PDIP-4 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 50-600% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1111 | Vishay Semiconductors | PDIP-4 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1111G | Vishay Semiconductors | PDIP-4 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1112 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 63-125% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1112G | Vishay Semiconductors | PDIP-4 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 63-125% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1113 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-200% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1113G | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-200% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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TCET1114 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>160-320% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：晶体管输出光电耦合器，RoHS：是，输入类型：DC，最大集电极/发射极电压：70 V，最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V，绝... | ||||||
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