| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TISP61089SDR-S | Bourns | 8-SOIC | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61511D | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP61511DR | Bourns | SO-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP61511DR-S | Bourns | 8-SOIC | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP61511D-S | Bourns | SO-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP61512P | Bourns | PDIP-8 | SCR | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP61512P-S | Bourns | PDIP-8 | SCR | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP61521DR | Bourns | SO-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：175 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP61521DR-S | Bourns | 8-SOIC | 54 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | |
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：175 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP61CAP3P | Bourns | PDIP-8 | SCR | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，安装风格：Through Hole，封装形式：PDIP-8，工厂包装数量：50，... | ||||||
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TISP61CAP3P-S | Bourns | PDIP-8 | SCR | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：PDIP-8，工厂包装数量：50，... | ||||||
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TISP6L7591DR | Bourns | SO-8 | SCR DUAL P GATE FORWARD CONDUCTING | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP6L7591DR-S | Bourns | SO-8 | SCR DUAL P GATE FORWARD CONDUCTING | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP6NTP2AD | Bourns | SOIC-8 | SCR Quad Buffered PGate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP6NTP2ADR | Bourns | 8-SOIC | SCR Quad Buffered PGate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：过渡期间，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.00... | ||||||
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TISP6NTP2ADR-S | Bourns | 8-SOIC | SCR Quad Buffered PGate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP6NTP2AD-S | Bourns | SO-8 | SCR Quad Buffered PGate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP6NTP2BD | Bourns | SOIC-8 | SCR SURGE SUP 8-SOP | ||
| 参数：制造商：Bourns，RoHS：否，额定重复关闭状态电压 VDRM：130 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 mA，安装风格：SM... | ||||||
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TISP6NTP2BDR | Bourns | SO-8 | SCR SURGE SUP 8-SOP | ||
| 参数：制造商：Bourns，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：130 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 mA，安装风格：SM... | ||||||
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TISP6NTP2BDR-S | Bourns | SO-8 | SCR SURGE SUP 8-SOP | ||
| 参数：制造商：Bourns，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：130 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 mA，安装风格：SM... | ||||||
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