| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TISP61089ASD | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089ASDR | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089ASDR-S | Bourns | 8-SOIC | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089ASD-S | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089BD | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：6.5 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDR... | ||||||
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TISP61089BDR | Bourns | 8-SOIC | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：6.5 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDR... | ||||||
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TISP61089BDR-S | Bourns | 8-SOIC | 26,709 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | |
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：6.5 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDR... | ||||||
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TISP61089BDR-T | Bourns | 8-SOIC | SCR PROTECTOR - PROGRAMMABLE SLIC PROTECT | ||
| 参数：制造商：Bourns，... | ||||||
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TISP61089BD-S | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：6.5 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDR... | ||||||
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TISP61089BSDR-S | Bourns | SOIC-8 | SCR PROTECTOR - QUAD PROGRAMMABLE | ||
| 参数：制造商：Bourns，最大转折电流 IBO：6.5 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 ... | ||||||
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TISP61089D | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089DR | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089DR-S | Bourns | 8-SOIC | 1,529 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | |
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089D-S | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089HDMR-S | Bourns | 8-SOIC | 8,607 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | |
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：7.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDR... | ||||||
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TISP61089P | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089P-S | Bourns | PDIP-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089QBDR-S | Bourns | 8-SOIC | 15,130 | SCR Quad Programmable Protector | |
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：- 170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：- 5 u... | ||||||
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TISP61089QDR-S | Bourns | SOIC-8 | 1818 | SCR Quad programmable Thyristor | |
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：- 170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：- 5 u... | ||||||
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TISP61089SDR | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
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