| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
TISP8210MDR-S | Bourns | 8-SOIC | SCR -150mA High Hold current | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
|
|
TISP8211MDR-S | Bourns | 8-SOIC | SCR +20mA High Hold current | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
|
|
TISP8250DR-S | Bourns | 8-SOIC | SCR PROTECTOR - GATED UNIDIRECTIONAL | ||
| 参数：制造商：Bourns，额定重复关闭状态电压 VDRM：250 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：5 uA，保持电流（Ih 最大值）：180 m... | ||||||
|
TISP83121D | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual Gate Unidirectional | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.01 mA... | ||||||
|
TISP83121DR | Bourns | SO-8 | SCR Dual Gate Unidirectional | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.01 mA... | ||||||
|
|
TISP83121DR-S | Bourns | 8-SOIC | 10,000 | SCR Dual Gate Unidirectional | |
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.001 m... | ||||||
|
|
TISP83121D-S | Bourns | SO-8 | SCR Dual Gate Unidirectional | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.001 m... | ||||||
|
|
TISP9110LDM | Bourns | SO-8 | SCR OVER VOLTAGE PROT | ||
| 参数：制造商：Bourns，RoHS：否，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 mA，保持电流（Ih... | ||||||
|
TISP9110LDMR-S | Bourns | 8-SOIC | 24,640 | SCR Dual Polarity SLIC | |
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
|
|
TISP9110LDMS | Bourns | SOIC-8 | SCR OverVolt Protector | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：9 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ... | ||||||
|
|
TISP61060DR | Bourns | SOIC-8 | SCR SURGE SUP 8-SOP | ||
| 参数：制造商：Bourns，RoHS：否，封装形式：SOIC-8，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 C，工厂包装数量：2500，... | ||||||
|
|
TISP61060DR-S | Bourns | SO-8 | SCR SURGE SUP 8-SOP | ||
| 参数：制造商：Bourns，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 mA，安装风格：SM... | ||||||
|
|
TISP61060P | Bourns | PDIP-8 | SCR | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，封装形式：PDIP-8，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 C，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
TISP61060P-S | Bourns | PDIP-8 | SCR | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：PDIP-8，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- ... | ||||||
|
|
TISP61089AD | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
|
|
TISP61089ADR | Bourns | SOIC-8 | 29 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | |
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：过渡期间，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 V... | ||||||
|
TISP61089ADR-S | Bourns | 8-SOIC | 2,500 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | |
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
|
|
TISP61089AD-S | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
|
|
TISP61089AP | Bourns | PDIP-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
|
|
TISP61089AP-S | Bourns | PDIP-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... | ||||||
70/91 首页 上页 [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] 下页 尾页
