| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BTA212-600D,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 1,907 | 双向可控硅 600V 12A | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212-600E | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212-600E,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212-600F | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212-600F,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212-800B | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212-800B,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：12 A，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDR... | ||||||
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BTA212B-600B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404-3 | 双向可控硅 TAPE13 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212B-600B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 双向可控硅 TAPE13 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：12 A，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDR... | ||||||
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BTA212B-600D /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404-3 | 双向可控硅 TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212B-600D,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 双向可控硅 TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212B-600E /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404-3 | 双向可控硅 TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212B-600E,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 双向可控硅 TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212B-600F /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404-3 | 双向可控硅 TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212B-600F,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 双向可控硅 TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212B-800B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404-3 | 双向可控硅 TAPE13 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212B-800B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 双向可控硅 TAPE13 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：12 A，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDR... | ||||||
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BTA212B-800E /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404-3 | 双向可控硅 THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212B-800E,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 双向可控硅 THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212X-600B | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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