| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BT136X-600D | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：27 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
BT136X-600D,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：4 A，不重复通态电流：27 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：... | ||||||
|
|
BT136X-600E | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：27 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT136X-600E,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 4,111 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：4 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电... | ||||||
|
BT136X-600E/DG,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 4Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220F-3，包装形式：Reel，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
|
BT136X-600F | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：27 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT136X-600F,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：27 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT136X-800 | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 800V 4A | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，不重复通态电流：27 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.... | ||||||
|
|
BT136X-800,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 800V 4A | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：27 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT136X-800E | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：27 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT136X-800E,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：4 A，不重复通态电流：27 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：... | ||||||
|
BT137-600,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 9,930 | 双向可控硅 600V 8A | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：8 A，不重复通态电流：65 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：... | ||||||
|
BT137-600/DG,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 4Q Triac | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220AB-3，包装形式：Reel，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
|
BT137-600/L01,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 8A 4-quadrant triac | ||
| 参数：制造商：NXP，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220AB-3，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
BT137-600D | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137-600D,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 4,297 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137-600E,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 15,323 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137-600E/DG | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|管件|-|在售|逻辑 - 灵敏栅极|600 V|8 A|1.5 V|65A，71A|10 mA|20 mA|单路|125... | ||||||
|
|
BT137-600E/L01,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 71A 3-Pin (3+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：8 A，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏... | ||||||
|
|
BT137-600G,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：8 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电... | ||||||
85/181 首页 上页 [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] 下页 尾页
