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TE Connectivity / Holsworthy

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CRGV2512F162K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 162K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:162 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F165K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 165 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:165 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F169K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 169 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:169 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F178K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 178K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:178 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F182K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 182K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:182 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F187K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 187 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:187 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F191K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 191K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:191 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F196K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 196 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:196 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F1M0 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 1M0 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:1 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:251...
CRGV2512F1M05 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 1M05 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:1.05 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F1M07 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 1.07M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:1.07 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F1M1 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 1.1M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:1.1 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F1M21 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 1.21M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:1.21 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F1M24 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 1M24 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:1.24 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F1M27 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 1.27M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:1.27 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F1M3 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 1M3 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:1.3 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F1M33 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 1.33M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:1.33 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F1M4 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 1M4 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:1.4 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F1M43 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 1M43 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:1.43 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F1M54 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 1M54 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:1.54 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...

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