TE Connectivity / Holsworthy
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
CRGV2010J100K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 100K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：100 kOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010J120K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 120K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：120 kOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010J130K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 130 Ohms 5% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：130 kOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010J150K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 150 Ohms 5% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：150 kOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010J180K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 180K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：180 kOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010J1M5 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 1M5 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.5 MOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010J1M6 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 1M6 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.6 MOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010J1M8 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 1M8 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.8 MOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010J200K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 200K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：200 kOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010J270K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 270K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：270 kOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010J2M0 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 2M0 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：2 MOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳... | ||||||
|
|
CRGV2010J2M2 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 2.2M Ohms 5% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：2.2 MOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010J2M7 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 2M7 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：2.7 MOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010J300K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 300K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：300 kOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010J3M3 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 3M3 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：3.3 MOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010J3M6 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 3.6M Ohms 5% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：3.6 MOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010J430K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 430 Ohms 5% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：430 kOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010J4M3 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 4M3 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：4.3 MOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010J4M7 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 4.7M Ohms 5% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：4.7 MOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010J560K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 560 Ohms 5% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：560 kOhms，容差：5 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
112/128 首页 上页 [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] 下页 尾页
