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TE Connectivity / Holsworthy

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CRGV2010F54K9 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 54K9 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:54.9 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V...
CRGV2010F562K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 562K 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:562 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,...
CRGV2010F56K2 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 56K2 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:56.2 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V...
CRGV2010F590K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD 590 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:590 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,外壳代码 - ...
CRGV2010F59K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 59K 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:59 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,外...
CRGV2010F5M11 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 5M11 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:5.11 MOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V...
CRGV2010F5M23 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 5M23 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:5.23 MOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V...
CRGV2010F5M49 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 5M49 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:5.49 MOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V...
CRGV2010F5M62 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 5M62 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:5.62 MOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V...
CRGV2010F604K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 604K 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:604 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,...
CRGV2010F61K9 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD 61.9 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:61.9 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,外壳代码 -...
CRGV2010F634K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 634K 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:634 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,...
CRGV2010F665K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD 665 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:665 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,外壳代码 - ...
CRGV2010F681K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 681K 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:681 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,...
CRGV2010F68K1 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD 68.1 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:68.1 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,外壳代码 -...
CRGV2010F69K8 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 69K8 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:69.8 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V...
CRGV2010F6M19 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 6M19 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:6.19 MOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V...
CRGV2010F6M81 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 6M81 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:6.81 MOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V...
CRGV2010F73K2 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 73K2 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:73.2 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V...
CRGV2010F750K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD 750 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:750 kOhms,容差:1 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,外壳代码 - ...

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