TE Connectivity / Holsworthy
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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CRGV2010F3M24 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 3M24 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：3.24 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
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CRGV2010F3M32 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 3M32 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：3.32 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
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CRGV2010F3M4 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 3.4M Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：3.4 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
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CRGV2010F3M57 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 3M57 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：3.57 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
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CRGV2010F3M74 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 3M74 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：3.74 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
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CRGV2010F3M83 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 3.83 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：3.83 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 -... | ||||||
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CRGV2010F412K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 412K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：412 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
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CRGV2010F422K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 422 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：422 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
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CRGV2010F442K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 442K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：442 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
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CRGV2010F453K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 453 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：453 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
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CRGV2010F475K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 475 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：475 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
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CRGV2010F487K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 487K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：487 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
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CRGV2010F499K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 499 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：499 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
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CRGV2010F4M32 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 4.32M Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：4.32 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 -... | ||||||
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CRGV2010F4M75 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 4.75M Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：4.75 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 -... | ||||||
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CRGV2010F4M87 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 4M87 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：4.87 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
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CRGV2010F4M99 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 4M99 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：4.99 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
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CRGV2010F511K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 511 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：511 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
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CRGV2010F51K1 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 51K1 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：51.1 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
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CRGV2010F549K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 549K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：549 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
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