TE Connectivity / Holsworthy
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
CRGV2010F1M47 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 1M47 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.47 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M5 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 1M5 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.5 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M54 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 1.54M Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：1.54 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 -... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M58 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 1.58M Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：1.58 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 -... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M65 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 1M65 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.65 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M74 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 1M74 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.74 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M78 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 1M78 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.78 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M87 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 1M87 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.87 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M96 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 1M96 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.96 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
|
|
CRGV2010F205K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 205K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：205 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F210K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 210 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：210 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010F221K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 221K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：221 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F226K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 226K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：226 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F232K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 232K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：232 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F243K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 243K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：243 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F249K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 249K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：249 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F267K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 267K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：267 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F274K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 274 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：274 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010F294K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 294 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：294 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010F2M0 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 2M0 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：2 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳... | ||||||
107/128 首页 上页 [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] 下页 尾页
