TE Connectivity / Holsworthy
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
CRGV2010F10M | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 10M Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：10 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - i... | ||||||
|
|
CRGV2010F110K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 110K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：110 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F113K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 113K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：113 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F115K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 115 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：115 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010F118K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 118 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：118 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010F121K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 121 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：121 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010F124K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 124K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：124 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F133K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 133K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：133 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F147K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 147K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：147 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F158K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 158K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：158 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F169K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 169K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：169 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F178K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 178K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：178 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F182K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 182K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：182 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F187K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 187K 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：187 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
|
|
CRGV2010F191K | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 191 Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：191 kOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 - ... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M02 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 1M02 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.02 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M07 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD 1.07M Ohms 1% 200ppm .50 Watt 2010 | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，电阻：1.07 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，外壳代码 -... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M15 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 1M15 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.15 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M18 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 1M18 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.18 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V... | ||||||
|
|
CRGV2010F1M3 | TE Connectivity / Holsworthy | 2010 (5025 metric) | 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 1% 1M3 3000V | ||
| 参数：制造商：TE Connectivity，RoHS：是，电阻：1.3 MOhms，容差：1 %，功率额定值：500 mW (1/2 W)，电压额定值：200 V，... | ||||||
106/128 首页 上页 [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] 下页 尾页
