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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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BFP 720 E6327 |
Infineon Technologies |
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射频硅锗晶体管 RF BIPOLAR TRANSISTR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BFP720E6327XT，... |
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BFP 720 H6327 |
Infineon Technologies |
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4075 |
射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP720，零件号别名：BFP720H6327XT BFP720H... |
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BFP 720ESD E6327 |
Infineon Technologies |
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射频硅锗晶体管 Robust Hi Perform Lo Noise Bip RF Trans |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BFP720ESDE6327XT，... |
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BFP 720ESD H6327 |
Infineon Technologies |
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2935 |
射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP720，零件号别名：BFP720ESDH6327XT BFP720ESDH6327XTS... |
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BFP 720F E6327 |
Infineon Technologies |
4-TSFP |
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射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：25 mA，功率耗散：100 mW，安装风格：SMD/SMT... |
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BFP 720F H6327 |
Infineon Technologies |
TSFP-4-1 |
815 |
射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：25 mA，功率耗散：100 mW... |
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BFP 720FESD E6327 |
Infineon Technologies |
4-TSFP |
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射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，集电极连续电流：30 mA，功率耗散：100 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：TSFP-4-1，包装形式：Re... |
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BFP 720FESD H6327 |
Infineon Technologies |
TSFP-4-1 |
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射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，集电极连续电流：30 mA，功率耗散：100 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：TSFP-4-1，包... |
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BFP 740 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
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射频硅锗晶体管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.03A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：0.03 A，功率耗散：160 m... |
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BFP 740 H6327 |
Infineon Technologies |
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2757 |
射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP740，零件号别名：BFP740H6327XT BFP740H... |
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BFP 740ESD H6327 |
Infineon Technologies |
SOT343-3 |
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射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，集电极连续电流：45 mA，功率耗散：160 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT343-3，包装形式：Re... |
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BFP 740F E6327 |
Infineon Technologies |
4-TSFP |
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射频硅锗晶体管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.03A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：30 mA，功率耗散：160 mW... |
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BFP 740F H6327 |
Infineon Technologies |
TSFP-4 |
4862 |
射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：30 mA，功率耗散：160 mW... |
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BFP 740FESD E6327 |
Infineon Technologies |
4-TSFP |
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射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BFP740FESDE6327XT，... |
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BFP 740FESD H6327 |
Infineon Technologies |
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射频硅锗晶体管 RF BI |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP740，零件号别名：BFP740FESDH6327XT BFP740FESDH6327X... |
