| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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BFR 740L3RH E6327 |
Infineon Technologies |
TSLP |
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射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：160 mW，封装形式：TSLP，包装形式：Reel，最大工作温度：+ 150 C，... |
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BFR 750L3RH E6327 |
Infineon Technologies |
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射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR750L3，工厂包装数量：1，零件号别名：BFR750L3RH... |
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BFR 705L3RH E6327 |
Infineon Technologies |
PG-TSLP-3 |
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射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：40 mW，封装形式：TSLP，包装形式：Reel，最大工作温度：+ 150 C，最... |
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BFP 620 E7764 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
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射频硅锗晶体管 NPN 2.3 V 80 mA |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，功率耗散：185 mW，安装风格：SMD/SMT，... |
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BFP 620 H7764 |
Infineon Technologies |
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射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP620，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFP620H77... |
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BFP 620F E7764 |
Infineon Technologies |
4-TSFP |
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射频硅锗晶体管 GP BJT NPN 2.3V 0.08A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：0.08 A，功率耗散：185 m... |
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BFP 620F H7764 |
Infineon Technologies |
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射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP620，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFP620FH7... |
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BFP 640 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
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射频硅锗晶体管 GP BJT NPN 4V 0.05A NPN 4V 0.05A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：50 mA，功率耗散：200 mW... |
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BFP 640 H6327 |
Infineon Technologies |
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2000 |
射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP640，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFP640H63... |
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BFP 640 H6433 |
Infineon Technologies |
PG-SOT343-3D |
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射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：10000，零件号别名：BFP640H6433XT，... |
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BFP 640ESD E6327 |
Infineon Technologies |
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射频硅锗晶体管 Robust Hi Perform Lo Noise Bip RF Trans |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BFP640ESDE6327XT，... |
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BFP 640ESD H6327 |
Infineon Technologies |
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311 |
射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP640，零件号别名：BFP640ESDH6327XT BFP640ESDH6327XTS... |
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BFP 640F E6327 |
Infineon Technologies |
TSFP |
3 |
射频硅锗晶体管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.05A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：0.05 A，功率耗散：200 m... |
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BFP 640F H6327 |
Infineon Technologies |
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射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP640，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFP640FH6... |
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BFP 640FESD E6327 |
Infineon Technologies |
4-TSFP |
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射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BFP640FESDE6327XT，... |
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BFP 640FESD H6327 |
Infineon Technologies |
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射频硅锗晶体管 RF BI |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP640，零件号别名：BFP640FESDH6327XT BFP640FESDH6327X... |
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BFP 650 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
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射频硅锗晶体管 GP BJT NPN 4V 0.15A NPN 4V 0.15A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：0.15 A，功率耗散：500 m... |
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BFP 650 H6327 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
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射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：150 mA，功率耗散：500 m... |
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BFP 650F E6327 |
Infineon Technologies |
4-TSFP |
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射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：500 mW，封装形式：TSFP，包装形式：Reel，最大工作温度：+ 150 C，... |
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BFP 650F H6327 |
Infineon Technologies |
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射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP650，零件号别名：BFP650FH6327XT BFP650... |
